本発明は、残渣、特に有機金属または金属酸化物残渣をそこに有するハードディスクデータ記憶装置、インクジェットプリンタカートリッジヘッド等を、その残渣を除去するための十分な時間と温度で本発明の洗浄用組成物と接触させてその残渣を除去することによって洗浄するための組成物および方法に関する。当技術分野で公知の、撹拌、かき混ぜ、循環、超音波処理またはその他の技術を適宜使用することができる。殆どの場合、ハードディスクデータ記憶装置、インクジェットプリンタカートリッジヘッド等を洗浄用組成物中に浸す。その時間と温度は、基板から除去する特定の材料に基づいて決定することができる。ハードディスクデータ記憶装置、インクジェットプリンタカートリッジヘッド等は、該組成物を使用した後、すすぐことができ、または、Ａｌ₂Ｏ₃ではそのようなすすぎは必要ないのですすがなくてもよい。すすぎ液は、イソプロパノールおよび／または脱イオン水を含む。
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レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および／または金属酸化物を基板から除去するための組成物であって、組成物は金属イオンを含まないフッ化物化合物および水を含む組成物が提供される。レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および／または金属酸化物は、金属ハードマスクが使用される１つまたは複数のパターニングプロセス中に発生する。
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本発明は、少なくとも一のアミドキシム官能基を含む少なくとも一の化合物を含む半導体処理組成物およびこれらの化合物を半導体処理中で使用する方法に関する。本発明はまた、（ａ）シアノエチル化触媒、求核剤およびα−不飽和ニトリルを混合して、シアノエチル化生成物を製造する工程と；（ｂ）前記シアノエチル化生成物中のシアノ基をアミドキシム官能基に転換する工程とを含む半導体処理のためのアミドキシムの製造についても記載する。 （もっと読む）

本願発明は、好ましくない分解に対してヒドロキシルアミン化合物を防止または安定化させるためのアミドキシムの使用に関する。 （もっと読む）

基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第４級アンモニウム化合物、および少なくとも１つの極性有機溶媒を含む、組成物。この組成物は、ウェハレベルパッケージングの適用およびはんだバンプ形成の適用からフォトレジストを除去することができる。
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本発明は、銅不動態化のための組成物およびこのような組成物の使用の方法に関する。特定の銅不動態化組成物を使用することによって銅腐食問題を解決する。 （もっと読む）