第１の層と第２の層との間の境界面の特性を求めるシステムは、試料に電磁放射線を出力する送信器と、試料によって反射された電磁放射線又は試料を透過した電磁放射線を受け取る受信器と、データ収集デバイスとを含む。データ収集デバイスは、試料から反射された電磁放射線又は試料を透過した電磁放射線をデジタル化して波形データを生成するように構成され、波形データは、試料から反射された放射線又は試料を透過した放射線を表し、第１の大きさ、第２の大きさ及び第３の大きさを有する。求めるべき材料特性は、一般に、第１の層と第２の層との間の接着強度である。
（もっと読む）

光ファイバの延伸に関係する効果を低減するシステムが、光信号を出力する光制御ユニットと、光源に光結合されたテラヘルツ受信器およびテラヘルツ送信器と、テラヘルツ受信器が光信号によりテラヘルツ送信器に同期するように、テラヘルツ送信器およびテラヘルツ受信器の両方に光信号を伝送する素子とを含んでいる。該伝送素子は、テラヘルツ送信器またはテラヘルツ受信器へ送られる光信号を伝搬する光ファイバの延伸を防止するか、または光信号によりテラヘルツ受信器がテラヘルツ送信器と同期するように、光ファイバの延伸を可能にする。
（もっと読む）

時間領域データ内のパルスの通過時間位置を高精度で測定するためのシステムおよび方法である。例示のデータ集合は時間領域テラヘルツ（ＴＤ−ＴＨｚ）データ内のパルスの通過時間である。パルスタイミングの精度は決定するサンプル特性測定値（例えば、厚さ）の精度に直接影響する。また、内部較正エタロン構造およびアルゴリズム法は連続的なシステム正確さ／精度チェック法であって、サンプル測定の完全性を高める。エタロン構造はサンプル特性測定値（例えば、絶対厚さ）の精度を高めることができる。種々のハードウエアおよびシステムの具体化を説明する。
（もっと読む）

テラヘルツ・システム内の分散補償のためのシステムであって、光パルスを送信するよう構成された光ファイバと、光ファイバに光学的に結合して光パルスが光ファイバを通って伝播するときに生じる光パルスの分散を補償するよう構成された補償器と、補償器に光学的に結合してテラヘルツ放射線を送信または受信するよう構成された光学的に誘導されたテラヘルツ装置とを備える。
（もっと読む）

半導体基板は、ＧａＡｓ基板またはＩｎＰ基板と、該基板上に成長させたＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓエピタキシャル層（式中、ｘは約０．０１より大きく、約０．５３より小さい）と、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓエピタキシャル層上面上にキャップ層として成長させたより広いバンドギャップのエピタキシャル層とを含む。
（もっと読む）

光遅延線装置は、回転可能なホイールと、ホイールの外周に取り付けられた１つ又は複数のプリズムとを含む。この１つ又は複数のプリズムは、ホイールに対してほぼ接して通過する光ビームを再帰反射させるように配置され、それによりホイールが回転する際にビームに遅延又は位相シフトを生じさせる。
（もっと読む）

パッケージ、荷物又は衣類内の爆発物又は化学兵器のような禁制品を検出するためのシステムが、１つ又は複数のテラヘルツ・モジュールを含む。それぞれのモジュールは、テラヘルツ放射の発生又は受信、或いは発生および受信の両方を行う。テラヘルツ放射の一部は物品から反射され、テラヘルツ放射の残りは物品を透過する。処理装置は、物品の特性を決定するために、反射及び透過テラヘルツ放射を解析する。
（もっと読む）

拡散またはエッチング工程のいずれかで製造された素子の頂部の小さな局所化された接点層と、下部接点領域を定める半導体層とを含むプレーナ型雪崩効果光ダイオードである。半導体増幅層が２つの接点領域の間に配置され、また半導体吸収層が増幅層と上部接点層との間に配置されている。光ダイオードは、低キャパシタと低電界を半導体増幅層と吸収層の周辺部近くに有する。 （もっと読む）

ＰＩＮ光検出器は、第１の半導体コンタクト層と、第１の半導体コンタクト層よりも広い面積を有する半導体吸収層と、第１の半導体コンタクト層と半導体吸収層の間に配置された半導体不活性化層と、第２の半導体コンタクト層とを含む。半導体吸収層及び半導体不活性化層は、第１の半導体コンタクト層と第２の半導体コンタクト層との間に配置される。
（もっと読む）