本発明は、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、（ｉ）ＩＢ族及びＩＩＩＡ族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、（ｉｉ）第１のＶＩＡ族元素（当該第１のＶＩＡ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_１と呼ばれる）の発生源が存在する中で、ＩＢ−ＶＩＡ_１族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの二元合金と、少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金との混合物を含む第１の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、（ｉｉｉ）第２のＶＩＡ族元素（当該第２のＶＩ族元素は、これ以降、ＶＩＡ_２と呼ばれる）の発生源が存在する中で、第１の薄膜を、ＩＢ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１−ＶＩＡ_２族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの合金と、ステップ（ｉｉ）の少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ_１族三元合金とを含む第２の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第１の薄膜を熱処理するステップと、（ｉｖ）第１の薄膜又は第２の薄膜のいずれかを熱処理して、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。
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本発明は四元以上のＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族アロイに関する。さらに具体的には、本発明は半導体膜として使用するのに適した四元または五元のＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族アロイに関する。さらに特定的には、本発明は実質的に均質であり、かつ、４０ｋＶのＣｕ線について２６°〜２８°の２θ角において主（１１２）ピーク（２θ_{［１１２］}）を有するＸ線回折パターン（ＸＲＤ）によって特徴付けられ、０．２°〜１０°の視射角に対するすれすれ入射Ｘ線回折パターン（ＧＩＸＲＤ）が０．０６°未満の前記２θ_{［１１２］}角の絶対的なずれを表わす四元または五元のアロイに関する。

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