本発明は、境界（78）によって画定されているパック動作領域内で移動可能なパック（75）に関する。弓形ばね（71-74）によってパック（75）は境界（78）に接続されている。各弓形ばね（71-74）は、パック（75）に接続されている第一端部と、境界（78）に接続されている第二端部を有し、パック（75）に適用される外部の力がない場合に、パック動作領域の所定の範囲にパック（75）を維持する力をパック（75）に適用する。一実施形態では、各弓形ばね（71-74）は、平坦な渦巻き状の部材を含む。また弓形ばね（71-74）は、パック（75）がパック動作領域の所定の範囲に戻る場合、パックの位置での何らかの振動を減衰させる力を適用することができる。またパック（75）は、弓形ばね（94、96）の一つによってパック動作領域の外部の点に電気的に接続されている電極（91、92）を含み得る。 （もっと読む）

薄膜音響結合変成器ＦＡＣＴ（４００）は、減結合された積層型バルク音響共振器、つまりＤＳＢＡＲ（１０６、４０８）と、第１の電気回路と、第２の電気回路とを有している。各ＤＳＢＡＲは、下側薄膜バルク音響共振器ＦＢＡＲ（１１０）と、上側薄膜バルク音響共振器ＦＢＡＲ（１２０）と、音響減結合器（１３０）とを有している。上側ＦＢＡＲは、下側ＦＢＡＲ上に積層されており、音響減結合器は、これらのＦＢＡＲ間に配置されている。各ＦＢＡＲ上は、向かい合う平面電極（１１２、１１４）と、これらの電極間の圧電要素（１１６）とを有している。第１の電気回路は、下側ＦＢＡＲ（１１０、４５０）を相互接続する。第２の電気回路は、上側ＦＢＡＲ（１２０、４６０）を相互接続する。１つのＤＳＢＡＲ（４０８）のＦＢＡＲの電気インピーダンスは、別のＤＳＢＡＲ（１０６）のＦＢＡＲと異なっている。ＦＡＣＴは、１：ｍ^２より大きいインピーダンス変換比を有しており、この場合、ｍはＤＳＢＡＲの数である。実際のインピーダンス変換比は、ＦＢＡＲのインピーダンスの比に依存する。 （もっと読む）

薄膜音響結合変成器(FACT)の一実施形態(100)は、減結合スタック型バルク音響共振器(DSBAR)を有し、DSBARは下側圧電薄膜共振器(FBAR)(110)と、下側FBARの上に積み重ねられた上側FBAR(120)と、FBAR間にあり、音響減結合材料の層(131)からなる音響減結合器(130)とを有する。FBARの各々は、対向する平面電極(112,114)と、前記電極間の圧電要素(116)とを有する。FACTは更に、FBARの一方の電極に電気接続された第１の端子(132,134)と、FBARの他方の電極に電気接続された第２の端子(136,138)とを有する。別の実施形態(200)は、各々が上述したものと同じである複数のDSBAR(106,108)と、下側FBARを相互接続する第１の電気回路と、上側FBARを相互接続する第２の電気回路とを有する。FACTはインピーダンス変換を行い、シングルエンド回路を平衡回路に、又はその逆に接続でき、及び一次と二次との間に電気絶縁を提供する。いくつかの実施形態は更に電気的に平衡している。 （もっと読む）

減結合スタック型バルク音響共振器(DSBAR)デバイス(100)は、下側圧電薄膜共振器（FBAR）(110)と、下側FBARの上に積み重ねられた上側FBAR(120)と、FBAR間の音響減結合器(130)とを有する。FBARの各々は、対向する平面電極(112,114)と、前記電極間の圧電要素(116)とからなる。音響減結合器は、異なる音響インピーダンスを有する音響減結合材料の複数の音響減結合層(182,183)を有する。複数の音響減結合層の音響インピーダンスと厚さは、音響減結合器の音響インピーダンス、ひいてはDSBARデバイスの通過帯域幅を決定する。次いで、プロセス互換性のある音響減結合材料を用いて、音響インピーダンス及び通過帯域幅を有する音響減結合器を作成することができ、その音響インピーダンス及び通過帯域幅は、係る音響インピーダンスを有するプロセス互換性のある音響減結合材料がないことに起因して、別な方法で得ることができない。 （もっと読む）

帯域フィルタ(100)は、下側圧電薄膜共振器(FBAR)(110)と、下側FBARの上に積み重ねられた上側FBAR(120)と、FBAR間にあり、音響減結合材料の層(131)からなる音響減結合器(130)とを有する。FBARの各々は、対向する平面電極(112,114)と、前記電極間の圧電要素(116)とを有する。音響減結合器は、FBAR間の音響エネルギーの結合を制御する。特に、音響減結合器は、FBAR間での直接接触により結合されたものに比べて、FBAR間の音響エネルギーを少なく結合する。低減された音響減結合は、帯域内と帯域外の望ましい特性を帯域フィルタに与える。 （もっと読む）

基板(100)と、基板の上に配置された音響ブラッグ反射器(180)と、音響ブラッグ反射器の上に配置された圧電素子(116)と、圧電素子の上に配置されたリモート側電極(114)とを含む圧電薄膜共振器(FBAR)デバイス(100)。音響ブラッグ反射器は、プラスチックブラッグ層(184)に近接配置された金属ブラッグ層(182)を含む。プラスチックブラッグ層のプラスチック材料の音響インピーダンスと金属ブラッグ層の金属の音響インピーダンスの比が大きいため、FBARと基板の間を音響的に十分に分離することができ、FBARと基板の間の望ましくない音響結合によってFBARデバイスの周波数応答に現れることがあるスプリアスアーチファクトを最小限に抑えることができる。
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ＦＢＡＲ（圧電薄膜共振器）スタックを含む温度補償型圧電薄膜共振器デバイス（１００）。ＦＢＡＲスタックはＦＢＡＲ（１１０）及び温度補償要素（１０９）を含む。ＦＢＡＲは、温度係数を有する共振周波数によって特徴付けられ、対向する２枚の平坦な電極（１１２、１１４）、及び、それらの電極間に配置された圧電素子（１１６）を含む。圧電素子は温度係数を有し、共振周波数の温度係数はその温度係数に少なくとも一部依存する。温度補償要素は、圧電素子の温度係数の符号とは反対の符号の温度係数を有する。
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薄膜音響結合変成器（ＦＡＣＴ）（２００）が、第１（１０６）および第２（１０８）の減結合積層型音響共振器（ＤＳＢＡＲ）を有する。各ＤＳＢＡＲは、下側薄膜バルク波共振器（ＦＡＢＲ）（１１０）、この下側ＦＢＡＲ上に設けられた上側ＦＢＡＲ（１２０）、およびこれらのＦＢＡＲ間に設けられている音響減結合器（１３０）を有する。各ＦＢＡＲは、対抗する平面電極（１１２、１１４）およびこれらの電極間に設けられている圧電要素（１１６）を有している。第１の電気回路（１４１）が、第１のＤＳＢＡＲおよび第２のＤＳＢＡＲの下側ＦＡＢＲ（１１０，１５０）に相互接続されている。第２の電気回路（１４２）が、第１のＤＳＢＡＲおよび第２のＤＳＢＡＲの上側ＦＢＡＲ（１２０、１６０）を相互接続されている。ＤＳＢＡＲの少なくとも１つには、音響減結合器および下側ＦＡＢＲおよび上側ＦＢＡＲの、音響共振器に隣接するそれぞれ１つの電極が、寄生キャパシタ（Ｃ_ｐ）を構成する。ＦＡＣＴは、寄生キャパシタと並列に電気的に接続されているインダクタをさらに有している。このインダクタによって、ＦＡＣＴのコモンモード除去比が増大する。
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基板(102)、基板の上に積み重ねられたFBARスタック(111)、FBARスタックを基板から音響的に分離する要素(104)、FBARスタックを覆うカプセル材料(121)、及び、FBARスタックの上面(113)とカプセル材料(121)の間に配置された音響ブラッグ反射器(190)からなるカプセル化圧電薄膜共振器(FBAR)デバイス(100)。FBARスタックはFBAR(110)と、基板から離れたところにある上面(113)とを有する。FBARは対向する2枚の平坦な電極(112,114)と、それらの電極間に配置された圧電素子(116)とを含む。音響ブラッグ反射器は金属ブラッグ層(192)と、金属ブラッグ層に近接配置されたプラスチックブラッグ層(194)とを含む。金属ブラッグ層の金属とプラスチックブラッグ層のプラスチック材料の音響インピーダンスの比が大きいため、音響ブラッグ反射器はFBARとカプセル材料との間を音響的に十分に分離し、FBARとカプセル材料との間の望ましくない音響結合によってFBARデバイスの周波数応答に現れることがあるスプリアスアーチファクトを最小限に抑えることができる。
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