【課題】
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法が開示される。前記方法は、複数のエピタキシャル層が上にマウントされた基板を用意すること；および、前記複数のエピタキシャル層を損なわずに、前記基板を前記複数のエピタキシャルから分離することを具備する。これは、前記複数のエピタキシャル層の電気的、機械的および光学的な特性を保持する。 （もっと読む）

活性層を含む複数のエピタキシャル層と、エピタキシャル層の第１の側にある反射層およびオーミックコンタクト電極の少なくとも一方と、エピタキシャル層の第２の側にあり、発光表面を有する導電金属層とを有する発光デバイスが開示される。発光表面上に端子があり、この端子は、電流を拡散して光出力への影響を最小化するアレイを備える。アレイは、ボンディングパッドと、外側部分と、ボンディングパッドおよび外側部分を接続する接合部分とを有してもよく、外側部分および接合部分は、電流を放散するためのものである。 （もっと読む）

発光ダイオードの外部発光効率を向上する方法は、発光ダイオードのｎ型層の外面をエッチングして表面テクスチャ加工部を形成する工程を備え、表面テクスチャ加工部は内部反射を低減して光出力を増大する。また、対応する発光ダイオードも開示する。 （もっと読む）

少なくとも１つの金属層が含まれている半導体デバイスを基板上に製造するための方法。この方法は、上記基板を除去して第２基板を付着するステップと、少なくとも１つの金属層上に電磁放射線のビームを照射することによって、少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップとを含む。 （もっと読む）

高電子移動度トランジスタ等のトランジスタを複数製造する方法であって、各トランジスタが１つの共通基板上に複数のエピタキシャル層を備えており、（ａ）複数のエピタキシャル層の第１の表面に複数のソースコンタクトを形成するステップと、（ｂ）第１の表面に少なくとも１つのドレインコンタクトを形成するステップと、（ｃ）第１の表面に少なくとも１つのゲートコンタクトを形成するステップと、（ｄ）ゲートコンタクト、ソースコンタクト及びドレインコンタクトの上及び間に少なくとも１つの絶縁層を形成するステップと、（ｅ）ソースコンタクトの接続用の少なくとも１つの絶縁層の少なくとも一部分を覆って導電層を形成するステップと、（ｆ）導電層の上に少なくとも１つのヒートシンク層を形成するステップと、を含む、方法が提供される。 （もっと読む）

発光用のｎ型層及び光反射用のｐ型層を備え、複数のエピタキシャル層を有する発光用の半導体デバイスを提供する。ｐ型層は、導電金属の外層用の少なくとも１つのシード層を有する。少なくとも１つのシード層は、外層及び光反射層の熱膨張差のためのバッファを提供するための材料である。 （もっと読む）

半導体発光ダイオード上での反射層の作製。基板上に複数のエピタキシャル層があるウェハを有する半導体発光ダイオード上に反射層を作製する方法であって、複数のエピタキシャル層の前面上に第１のオーム接触層を適用するステップを含み、第１のオーム接触層は、反射層としても作用するように反射材料のものである。 （もっと読む）

半導体デバイスを製造するための方法であり、半導体デバイスは、複数のエピタキシャル層を基板上に有する。複数のエピタキシャル層は、光を生成することのできる活性領域を含む。本方法は、少なくとも１つの第１のオーミック接触層をエピタキシャル層の前面に付加するステップを備え、第１のオーミック接触層は、また、反射器の役割をなす。そして、基板が、エピタキシャル層の裏面から除去される。そして、裏面が、テクスチャー処理される。 （もっと読む）

基板上に発光デバイスを製造する方法であり、発光デバイスは、複数のエピタキシャル層および基板の反対側にあるエピタキシャル層上に存在するオーミック接触層を備えるウェーハを有する。本発明による方法は、（ａ）熱伝導性の金属からなる種層をオーミック接触層に付加するステップと、（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、（ｃ）基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する発光デバイスが、開示される。発光デバイスは、ＧａＮ発光ダイオードまたはＧａＮレーザダイオードである。 （もっと読む）

基板上に半導体デバイスを製造する方法であり、半導体デバイスは、ウェーハを有する。本発明による方法は、（ａ）熱伝導性の金属からなる種層をウェーハに付加するステップと、（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、（ｃ）基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する半導体デバイスが開示される。 （もっと読む）