【課題】以下のパラメータを調整することによって、分配隔壁サブエレメント・デザインにおいて、４．２Ｋの温度および１２Ｔの磁界で内部スズ・ワイヤに、３０００Ａ／ｍｍ^２までの範囲の臨界電流密度を達成する。
【解決手段】ブロンズ内の重量％Ｓｎ、原子Ｎｂ：Ｓｎ、局所面積比、反応可能な隔壁、フィラメント厚に対する隔壁厚、例えばＴｉまたはＴａ等のドーパントのＮｂ_３Ｓｎへの添加、そして、その後の熱反応過程で最大フィラメント径を調整するための再スタッキングおよびワイヤ絞りのデザイン。 （もっと読む）

【課題】マルチフィラメント（Ｎｂ，Ｔｉ）_３Ｓｎ超伝導ワイヤを製造するための方法における改善を開示する。
【解決手段】この方法は、ＮｂまたはＮｂ合金モノフィラメントを銅または銅合金シース内に包んだ複数のＮｂまたはＮｂ合金ロッドを調製するステップ、これらのＮｂまたはＮｂ合金ロッドを、銅を含むマトリクス内に詰め込んで、超伝導ワイヤのためのパック・サブエレメントを形成するステップ、このサブエレメント内にＳｎソース及びＴｉソースを設けるステップ、複数のサブエレメントを、もう一つの銅を含むマトリクス内に組み付けるステップ、そしてＮｂまたはＮｂ合金ロッド内へＳｎ及びＴｉを拡散させて（Ｎｂ，Ｔｉ）_３Ｓｎを形成するステップからなる。この方法は、ＮｂまたはＮｂ合金ロッド間に配置した、少数のＴｉドーパント・ソース・ロッドからＴｉをＮｂ内へ拡散させるという改善がなされている。 （もっと読む）