装置は、半導体材料の複数のフェンス層と、間に組み込まれ、ｐ型およびｎ型半導体材料の間のスタックに配置された第３の半導体材料と直接接触する第２の半導体材料の量子ドットの交代層と、を含む。前記第２の半導体材料および前記第３の半導体材料の各々の量子ドットは、タイプＩＩバンド配列を有するヘテロ接合を形成する。そのような装置を製造する方法も提供される。
（もっと読む）

光電子デバイスおよび感光性光電子デバイスの作製方法は、第１電極に第１有機半導体材料を蒸着して、連続第１層を形成し；前記第１層に第２有機半導体材料を蒸着して、第１層の一部が露出したままである、不連続第２層を形成し；および前記第２層に前記第１有機半導体材料を蒸着して、少なくとも第２層の一部が露出したままである、不連続第３層を形成することを有する。第２有機材料の最終層を添加して連続層を形成するまで、前記第１及び第２有機半導体材料の蒸着を多数回数交互に行う。第２電極をこの最終層に蒸着する。前記第１電極および第２電極の一方は透明であり、および前記第１有機半導体材料は、前記第２有機半導体材料に対して、１以上のドナータイプの材料または１以上のアクセプタータイプの材料であり、前記第２有機半導体材料は、他方の材料タイプの１以上の材料である。
（もっと読む）

第一電極と第二電極との間に積層されて堆積された複数の囲みドット障壁および複数の第一半導体材料の層。各囲みドット障壁は実質的に第三半導体材料の二層の間に直接接触して埋設された複数の第二半導体材料の量子ドットからなる。量子ドットの波動関数は、少なくとも一の中間バンドとして重なる。第三半導体材料の層はトンネル障壁として配置され、第一材料中の第一電子および／または第一正孔が各量子ドット中の第二材料に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、かつ、第一半導体材料の層中の第二電子および／または第二正孔が第一半導体材料の他の層に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、要求される。
（もっと読む）

光電子デバイスおよび感光性光電子デバイスの製造方法であって、第１電極上に第１有機半導体材料を堆積し、突起を有する連続する第１層を形成する工程、ここで第１電極と反対側の第１層は下になる横方向の断面積よりも少なくとも３倍大きい表面積を有し；第１層上に第２有機半導体材料を直接堆積し、第１層の一部は露出したまま、不連続の第２層を形成する工程；第２層上に第３有機半導体材料を直接堆積し、少なくとも第２層の一部は露出したまま、不連続の第３層を形成する工程；第３層上に第４有機半導体材料を堆積し、第１層、第２層および第３層中の露出した亀裂および窪みを充填し、連続する第４層を形成する工程；および、第４層上に第２電極を堆積する工程、ここで、少なくとも第１電極および第２電極の一方は透明であり、もう一方の物質型である第２および第４有機半導体材料に対して、第１および第３有機半導体材料は共にドナー型またはアクセプター型である。 （もっと読む）

改善されたハイブリッド平面バルクヘテロ接合を有する感光性光電子デバイスは、アノード（１２０）およびカソード（１７１）間に配置される複数の光伝導性材料（９５０）を含む。光伝導性材料（９５０）は、ドナー物質（１５２）の第一連続層（１５２）およびアクセプター物質（１５４）の第二連続層（１５４）を含む。ドナー物質または複数のドナー物質（９５３ｃ）の第一ネットワークは、第一連続層から第二連続層に向かって伸張し、第一連続層へ向かう正孔伝導の連続経路を供給する。アクセプター物質のまたは複数のアクセプター物質（９５３ｂ）の第二ネットワークは、第二連続層（１５４）から第一連続層に向けて伸張し、第二連続層（１５４）に向かう電子伝導の連続経路を提供する。第一ネットワークおよび第二ネットワークは互いに織り交ざっている。少なくとも一の他の光伝導性材料は、織り交ざったネットワーク間に散在している。他の光伝導性材料または複数の他の光伝導性材料はドナーおよびアクセプター物質とは異なる吸収スペクトルを有する。
（もっと読む）

複数の量子ドットは第１の無機材料を有しており、各量子ドットは第２の無機材料で被覆されている。被覆されたドットは、第３の無機材料のマトリックスに埋め込まれている。少なくとも前記第１および前記第３の無機材料は光伝導性半導体である。第３の材料におけるトンネルバリアの基部におけるキャリア（電子または正孔）が各々の被覆された量子ドット内部の第１の材料に到達するためには量子力学的なトンネリングを必要とするように、前記第２の材料がトンネル障壁として配置されている。各量子ドットにおける第１量子状態は、被覆された量子ドットが埋め込まれている第３の材料での伝導帯端と価電子帯端との間に位置している。複数の量子ドットについての第１量子状態での複数の波動関数は中間バンドとして重なりあっている。
（もっと読む）

有機金属層で被覆されたポリマー表面：この際、有機金属層およびポリマー表面が有する官能基は反応により有機金属層をポリマー表面に結合させ、続く有機被覆層の共有結合的付着のために有機金属官能基は未反応のまま残存する。被覆方法および被覆された製品についても開示される。
（もっと読む）

複数の量子ドットはそれぞれシェルを有している。その量子ドットは有機マトリックス内に埋め込まれる。少なくともその量子ドットとその有機マトリックスは光伝導性半導体である。各量子ドットのシェルは、前記有機マトリックスのトンネル障壁の基部に位置する荷電キャリア（電子や正孔）が各量子ドットに到達するため量子力学的なトンネリングを必要とするように、トンネル障壁として備えられており、各量子ドット内の第１量子状態は有機マトリックスの最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）から最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）の間に位置する。複数の量子ドットの第１量子状態の複数の波動関数は中間バンドを形成するために重複することがある。
（もっと読む）

有機小分子材料の第１の試料で始まる一連の操作として実行される有機小分子材料を精製する方法。第１の段階（９０４）は、温度勾配昇華により有機小分子材料を精製する。第２の段階（９０８）は、精製された有機小分子材料からの少なくとも一つの試料の純度を分光法により試験する。第３の段階は、分光試験が、目標有機小分子の特性ピークの大きさの閾値パーセントを超えるいずれかのピークを明らかにするならば、精製された小分子材料について第１から第３の段階（ｃ）を繰り返す。段階は少なくとも２回実行される。閾値パーセントは、最大で１０％である。好適には、閾値パーセントは、５％であり、さらに好適には、２％である。閾値パーセントは、完成デバイスにおいて、目標性能特性が達成された過去の試料に基づいて選択されうる。 （もっと読む）

感光性装置は、アノードとカソードとの間で電気的に接続されたドナー−アクセプタヘテロ接合を形成する第１の有機材料および第２の有機材料を含み、当該第１の有機材料および第２の有機材料は、それぞれ０．５ｅＶ未満のフランク−コンドンシフトを有する。好ましくは、当該第１の有機材料および第２の有機材料の一方または双方が、０．２ｅＶ未満、より好ましくは０．１ｅＶ未満のフランク−コンドンシフトを有する。
（もっと読む）