【課題】 ノーマリーオフ型高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】 ノーマリーオフ型トランジスタは、ＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第１の領域、第１の領域上のＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第２の領域、第２の領域上のＩＩＩ−Ｖ半導体材料の第３の領域、および第３の領域の少なくとも１つの側壁に隣接するゲート電極を含む。第１の領域はトランジスタのチャネルを提供する。第２の領域は第１の領域のバンドギャップより大きなバンドギャップを有し、チャネル内に２Ｄ電子ガス（２ＤＥＧ）を引き起こす。第２の領域は第１の領域と第３の領域との間に挿入される。第３の領域は、トランジスタのゲートを提供し、トランジスタが正の閾値電圧を有するようにチャネル内の２ＤＥＧを空乏化するのに十分な厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を有するドリフト経路／ドリフト領域を有する、半導体素子、特にパワー半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基材１００と、上記半導体基材１００内の、半導体材料からなるドリフト領域２と、ドリフト領域２に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、接続電極１９を含む、半導体材料からなるドリフト制御領域３と、ドリフト領域２とドリフト制御領域３との間に配置された蓄積誘電体４と、第１素子領域８と、第１素子領域８との間にドリフト領域２が配置され、第１素子領域８から離れて配置された第２素子領域５と、ドリフト制御領域３の接続電極１９および第１素子領域８の間に接続された容量性素子５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を有するドリフト経路／ドリフト領域を有する、パワー半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基材内に第１の伝導型のドリフト領域２と、半導体基材内にドリフト領域２に隣接して配置され半導体材料からなるドリフト制御領域３と、ドリフト領域２とドリフト制御領域３の間に配置された蓄積誘電体４と、基材領域８と、基材領域８から分離され蓄積誘電体４に隣接するドレイン領域５と、基材領域８によりドリフト領域２から分離されるソース領域９と、ゲート誘電体１６により半導体基材から絶縁されソース領域９からドリフト領域２に到るまで基材領域８に隣接して伸びたゲート電極１５と、ドレイン領域５と接したドレイン電極１１と、ドレイン領域５と相補的にドープされた半導体領域２７とを含み、半導体領域２７はドレイン電極１１とドリフト領域２の間に配置されドレイン電極１１に隣接する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子および逆導通ＩＧＢＴを提供すること。
【解決手段】 半導体素子を提供する。本半導体素子は、ベース領域（１）を有する半導体ボディ（４０）と、半導体ボディ（４０）の主水平面（１５）上に配置された第１の電極（１０）とを含む。半導体ボディ（４０）はさらに、ベース領域（１）との間で第１のｐｎ接合（９）を形成しているボディ領域（２）を有するＩＧＢＴセル（１１０）と、ベース領域（１）との間で第２のｐｎ接合（９ａ）を形成しているアノード領域（２ａ）を有するダイオードセル（１２０）と、を含む。垂直断面において、ＩＧＢＴセル（１１０）内にのみ、第１の電極（１０）とオーミック接触しているソース領域（３）と、第１の電極（１０）とオーミック接触している反ラッチアップ領域（４）とが形成されている。反ラッチアップ領域（４）は、最大ドープ濃度がボディ領域（２）より高い。さらに、逆導通ＩＧＢＴを提供する。 （もっと読む）

【課題】ダイオードを含む半導体装置において、ダイオードの逆回復挙動とオン状態特性とのトレードオフを改善する。
【解決手段】半導体装置２００は陰極２１６と陽極２１８を含む。陽極は第１のｐ型半導体陽極領域２０４と第２のｐ型半導体陽極領域２０６を含む。第１のｐ型半導体陽極領域２０４は陽極接触領域２１８に電気的に接続される。第２のｐ型半導体陽極領域２０６は、第２のｐ型陽極領域と陽極接触領域２１８間を電気的に接続または切断するように構成された、ＭＯＳＦＥＴ２２８等のスイッチを介し陽極接触領域２１８に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】電荷補償構造は、対応するイオン注入マスクによって、平面状に欠陥源が形成されるという問題を必ず有する。製造コスト負担が大きい。
【解決手段】半導体素子１は、２つの電極６、７間にドリフト経路５を備える半導体基材４を有し、ドリフト経路５は、ドリフト経路内の電極６、７間に電流経路を提供する第１伝導型ドリフト領域を含む。相補伝導型電荷補償領域１１は、ドリフト経路５内の上記電流経路を制限する。このために、ドリフト経路５は、エピタキシャル法によって交互に成長させた２つの拡散領域型９、１０を含み、第１ドリフト領域型９は、単結晶基板１２上における単結晶半導体材料を有し、第２ドリフト領域型１０は、相補的にドーピングされた壁１４、１５を有するトレンチ構造物１３内における単結晶半導体材料を有する。壁１４、１５は、電荷補償領域１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】材料析出物を有するゾーンを半導体内に形成することにより、半導体素子の製造プロセス中に半導体材料内に内方拡散することが可能な貴金属を効果的にゲッタリングする方法を提供する。
【解決手段】機械的作用によって、または、酸素注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料（２）内に欠陥を形成する工程（４）と、その後、欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料（２）の熱処理を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ブレークダウン電圧変動を抑えることができる、ドリフト経路を有する電荷補償部材とその製造方法を提供する。
【解決手段】電極３と対向電極４とから成る２つの電極３，４間のドリフト経路２は、第１の伝導型のドリフトゾーン５と、第１の伝導型に対して相補的な伝導型の電荷補償ゾーン６とを有する。ドリフト経路層内に配置された、ドリフトゾーンの領域と電荷補償ゾーンの領域とを含み、垂直に伸びるドリフト経路２に、水平なドリフト経路層のドーピング位置が体積的に重ね合わせられたドリフト経路層ドーピングは、ドリフト経路２の中央の方向よりも、２つの電極３，４の近傍においてのほうがより大きい。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素トレンチ半導体装置を提供する。
【解決手段】 本明細書に記載の半導体装置は炭化珪素半導体ボディを含む。トレンチが第１の表面において炭化珪素半導体ボディ内に延びる。ゲート誘電体とゲート電極がトレンチ内に形成される。第１の導電型のボディ領域は、トレンチの側壁に接し、ボディ領域より高い最高ドーパント濃度を含むボデイコンタクト領域を介しコンタクトに電気的に接続される。第１の導電型の拡張領域は、ボディ領域を介しコンタクトに電気的に接続され、第１の表面に垂直な垂直方向に沿った拡張領域の最高ドーパント濃度は、垂直方向に沿ったボディ領域の最高ドーパント濃度より高い。第１の表面と拡張領域の底面との間の距離は第１の表面とトレンチの底面との間の距離より大きい。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を有する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】複数のドーピング領域と金属パッドを備えた第１の表面と、第１の表面とは反対側の第２の表面とを有する半導体ウェハに対して、接合表面にキャビティおよび開口のうち少なくとも一方を有する第１のガラス基板を、金属パッドが第１のガラス基板のそれぞれのキャビティまたは開口内部に配置されるように、半導体ウェハの第１の表面に接合した後、半導体ウェハの第２の表面を機械加工して半導体ウエハを薄化する。次いで半導体ウェハの機械加工後の第２の表面上に、少なくとも１つの金属被覆領域が形成した後、半導体ウエハおよびガラス基板をダイシングし、個々の半導体デバイスに分割する。 （もっと読む）