【課題】ハロゲン化金属還元ＣＶＤ法を用いて互いに接続状態とされた複数の処理室において複数種の処理を施す際に、各処理室において被処理体近傍における各成分の量的バランスを容易に制御し、被処理体表面に所望の処理を行い、より効率的で高品質な処理を行うことが可能な処理装置及び処理方法の提供。
【解決手段】互いに接続状態とされた複数の処理室を用い、各処理室においてハロゲンラジカルを用いて金属製の被エッチング部材をエッチングし、被エッチング部材に含まれる金属成分とハロゲンとからなる前駆体を生成し、被処理体に所望の処理を施すに際し、各処理室に設けられた各被エッチング部材の成分に適する被処理体と被エッチング部材との距離となるよう処理室毎に被処理体と被エッチング部材との距離を異ならせて複数種の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 被処理体とは独立して機能部材、例えば、被エッチング部材等の扱いを容易に行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 基板３が収容される空間と被エッチング部材１２が収容される空間にチャンバ１内を仕切るゲート弁３１を備え、ゲート弁３１を用いて一つの処理を行うチャンバ１内を仕切ることで、基板３が収容される空間とは無関係に被エッチング部材１２の取り扱いを行い、真空装置１８の不具合をなくしてメンテナンス性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンラジカルによる下地への損傷をなくした状態で成膜速度を低下させずに薄膜を作製する。
【解決手段】基板３上にＣｕＣｌを作製した後、制御手段１１により整合器９のマッチング度合いを変更して無効分を小さくし、インピーダンスを変化させて有効電力（入射エネルギー：ＲＦパワー）を大きくし、下地となるＣｕＣｌを塩素ラジカルＣｌ^*に対するエッチング保護膜として機能させて、基板３上（バリアメタル膜上）にＣｕ成分の薄膜を作製し、塩素ラジカルＣｌ^*による下地への損傷をなくした状態で成膜速度を低下させずにＣｕ膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化金属還元ＣＶＤ法を用いて所望の処理を施す際に、被処理体近傍における各成分の量的バランスを容易に制御し、被処理体表面に所望の処理を行い、より効率的で高品質な処理を行うことが可能な処理装置及び処理方法の提供。
【解決手段】ハロゲンラジカルを用いて金属製の被エッチング部材８をエッチングし、被エッチング部材８に含まれる金属成分とハロゲンとからなる前駆体を生成し、被処理体２に所望の処理を施すに際し、被処理体２と被エッチング部材８との距離を相対的に変化させながら被処理体２近傍に存在する複数成分のモル比を観察し、複数成分が所望のモル比となる距離に被処理体２と被エッチング部材８との相対位置を固定して所望の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】前駆体を基板に対して均一に供給する。
【解決手段】支持台２の上方の周囲に被エッチング部材１２を配し、支持台２に基板３を載置した際に、基板３の直上に被エッチング部材１２が存在しないようにし、プラズマによる被エッチング部材１２の過熱による熱変形を抑制し、パーティクルの落下をなくしてＣｕ成分と塩素とからなる前駆体１９を基板３に均一に供給する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン含有ガスを被処理体に対して均一に供給する。
【解決手段】ガスノズル１５の先端部をチャンバ１の周方向に傾斜して設け、Ｃｌ_２ガスをチャンバ１の周方向に渦巻状に供給し、Ｃｌ_２ガスを基板３に直接向けずに、生ガスやラジカルによる基板３への影響を最小限に抑え、基板３の表面の変質やエッチング過多を防ぎ、基板３の中心部に集中してＣｌ_２ガスがあたることをなくす。 （もっと読む）

【課題】ウェハが複数の処理チャンバを順次通過するルートを柔軟に構成可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】２つの搬送チャンバ４０とこれらの搬送チャンバ４０の間に配設される処理チャンバ３１とから構成されて、ウェハ２６が一方の搬送チャンバ４０から処理チャンバ３１を経由して他方の搬送チャンバ４０へ搬送される処理経路を有する２つの処理ユニット３０を具備し、各処理ユニット３０同士を接続してこれらの各処理経路同士を連結すると共に、この連結した処理経路上の任意の搬送チャンバ４０を処理の起点とし、他の搬送チャンバ４０を処理の終点となるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】基板に均一にガスを供給することが可能であり、基板に対し均一な処理を施すことが可能な処理装置及び処理方法の提供。
【解決手段】シリコン基板２が収容された圧力調整可能な処理室１内にＯ_２含有ガス５を供給してシリコン基板２に所望の処理を施すに際し、Ｏ_２含有ガス５を放射状に供給し、パラボラ状曲面を有する反射板１１を用いて放射状に供給されたＯ_２含有ガス５を反射し、シリコン基板２に対するＯ_２含有ガス５のガス流れを平行にしてシリコン基板２にＯ_２含有ガス５を供給する。 （もっと読む）

【課題】被搬送体を搬送する搬送系を小型化して製造に掛かるコストの低減を実現する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】開口を介してウェハの受け取り・引き渡しをする受け渡しロボット９０を内部に配設して内部圧が調圧可能に形成された受け渡しチャンバ１０、及びこの受け渡しチャンバ１０に隣接して配設されて受け渡しロボット９０を介してウェハの授受を行う処理チャンバ３１を備える複数の処理ユニット３０と、何れか１つの処理ユニット３０の受け渡しチャンバ１０の開口の位置まで移動して当該受け渡しチャンバ１０内部に配設された受け渡しロボット９０との間でウェハの受け渡しをするよう形成された大気搬送ロボット７０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造能力を低下させずに設置面積を可及的に縮小した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】側面に設けられた開閉可能な第１の開口を介してウェハ２６を搬入・搬出するよう内部に配設したロボット７０を有する搬送チャンバ４０と、搬送チャンバ４０側に臨んで形成された開閉可能な第２の開口を側面に有すると共に、上下方向に積層して構成された複数の処理チャンバ３１からなるタワー型処理チャンバユニット３０と、搬送チャンバ４０を上下に昇降させる昇降機構６０と、先端部が搬送チャンバ４０に接離可能に形成されると共に、前記何れか１つの処理チャンバと搬送チャンバ４０との内部同士が連通するように第１の開口と第２の開口とを連結する連結機構５０とを具備する。 （もっと読む）