【課題】チャンバの外部から被エッチング部材の状態を確認することができる基板処理装置とする。
【解決手段】光導入窓３１を通して光照射手段３３からの赤外線を被エッチング部材１１に照射し、光導出窓３２を通して被エッチング部材１１で反射した赤外線を受光手段３４に導き、受光手段３４で受光した赤外線の分析を行って被エッチング部材１１への付着物の付着状況や付着物の確認を行い、チャンバ１の外部から被エッチング部材１１の状態を確認する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に伴うくもりをなくした透明な天井板を通してチャンバ内の状態を確認することができる基板処理装置とする。
【解決手段】チャンバ１の内部を観察するために透明な天井板７を設け、温度の不均一を抑制する冷却風を加温するヒータ２４を設け、加温された冷却風を天井板７に供給して天井板７を暖め、プラズマ処理に伴うくもりをなくして赤外線センサーによりチャンバ１の内部の温度分布を観察する。 （もっと読む）

【課題】新方式のＣＶＤ装置において、基板の材質に拘らず金属膜を作製することができる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】金属酸化物を含む基板３３が収容されるチャンバ１と、チャンバ１に設けられる炭素材製の被エッチング部材３４と、チャンバ１の内部にハロゲンを含有する原料ガス２１を供給するノズル１４と、酸素成分手段である基板３３と、チャンバ１の内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させガスプラズマ２０で被エッチング部材３４をエッチングすることにより炭素成分と原料ガス２１との前駆体３６を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材３４の温度よりも低くすることにより酸素成分手段の酸素成分を含んだ前駆体３６の炭素成分を基板側に成膜させる制御手段とを備え酸素成分を含んだ炭素膜を作製することにより基板３３には不動態である金属酸化物に結合し難い金属膜でも作製出来るようにした。 （もっと読む）

【課題】被エッチング部材の温度を独立して容易に制御し、成膜条件の最適化を容易に実現する。
【解決手段】独立して温度制御された被エッチング部材により、供給精度が高められた状態の前駆体ＣｕＣｌと、チャンバ１外の材料供給装置６からのＣｌ^*とをチャンバ１に供給され、温度制御を複雑にすることなく（ヒータ４で加熱制御するだけで）、プラズマによる輻射の影響をなくしてＣｕＣｌのＣｕ成分を基板３に析出させて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板の全面にわたり膜厚を均一にした成膜が可能な薄膜作製装置及び薄膜作製方法とする。
【解決手段】 Ｃｕ製の被エッチング部材１１が備えられたチャンバ１内にＣｌ_２ガスを供給して塩素ラジカルＣｌ^＊を生成し、塩素ラジカルＣｌ^＊で被エッチング部材１１をエッチングすることにより被エッチング部材１１に含まれるＣｕ成分とＣｌ_２ガス成分との前駆体（ＣｕＣｌ）２４を生成すると共に、Ｎ_２ガスを供給してプラズマを発生させたときのチャンバの内壁側の電子温度を低下させて塩素ラジカル（Ｃｌ^＊）の生成を抑制し、塩素ラジカル（Ｃｌ^＊）の分布を前駆体ＣｕＣｌの分布に近づけることで塩素ラジカル（Ｃｌ^＊）と前駆体ＣｕＣｌの比率を一定にし、基板３側の温度を被エッチング部材１１の温度よりも低くすることにより、膜圧を均一にした薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成され開口面積が異なる複数の貫通部を組み合わせた形状のパターンを有するレジスト膜のパターン内への金属膜の埋め込み成膜を短時間で良好に行うことができる金属膜作製方法及び金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】開口面積が異なる複数の貫通部を組み合わせた形状のパターンを基板３上にパターニングしたレジスト膜３０のパターンの底部から順に前駆体２４を吸着させてこの前駆体２４の金属成分のみを析出させて金属膜を形成する成膜反応と、金属膜を塩素ラジカルでエッチングするエッチング反応とを共存させながら貫通部内に金属膜を形成し、レジスト膜３０のパターンの中で開口面積が最小の貫通部を金属膜によって完全に埋めた時点で金属膜の表面に金属酸化膜を形成した後、金属膜で完全に埋められていない残りの貫通部内への金属膜の埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室のプラズマを維持したままプラズマ処理室への基板の搬入乃至搬出やクリーニングモードにおける被エッチング部材の退避乃至再搬入を良好に行い得るプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対し所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理室Ａと、このプラズマ処理室Ａに対して前記基板の搬入乃至搬出を行う搬送室Ｂと、前記プラズマ処理室Ａ及び前記搬送室Ｂの間に配設されて両者の間を仕切る第１のゲート弁Ｇ１とを有するプラズマ処理システムを用いて所定のプラズマ処理を行う際、前記プラズマ処理室Ａ内をプラズマを生成し得る圧力雰囲気とし、前記プラズマ処理室Ａに生成しているプラズマを維持する一方、処理する基板の前記搬送室Ｂから前記プラズマ処理室Ａ内への搬入時乃至処理した基板の前記プラズマ処理室Ａ内から前記搬送室Ｂへの搬出時には、前記搬送室Ｂの圧力を制御して前記プラズマ処理室Ａと同圧にした状態で前記第１のゲート弁Ｇ１を開いて前記基板の搬入乃至搬出を行う。 （もっと読む）