【課題】半導体ウェーハ上に保護障壁構造をパターニングするために用いられる構造を備え、マスク中の領域が絶縁されたリソグラフィマスクを提供する。
【解決手段】導体で構成されており、溝を有する第１層と、領域、セクション及びそのセクションを囲む溝状透明構造を含む第２層とを具備し、前記第１層と第２層とが、前記第２層における電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されており、前記溝状透明構造が、前記セクションと前記領域とを分離するものであり、前記第１層と第２層の材料が、前記セクションと前記領域との間に電気的ポテンシャルの差が生じないように選択した。 （もっと読む）

【課題】障壁構造の内部または外部に配置されるパターンを製造する際に互いに絶縁された異なる領域の異なる荷電状態に起因して異なるレートでエッチングされる問題を解決する。
【解決手段】溝を含む第１の層３１と、領域を含む第２の層３２と、セクションと、前記セクションを囲う溝状透明構造を含んでおり、前記第１の層３１と第２の層３２とが、第２の層３２において生じる電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されているリソグラフィマスク。 （もっと読む）

【課題】レジストの熱効果や線量変化量を高いスループットで補正できる粒子ビームの描画方法を提供する。
【解決手段】レイアウトデータに基づいてショット領域の第１露光線量が決定される。粒子ビーム描画装置のショット期間を制御するように構成された制御ユニットが荷電粒子ビームが基準電流密度に到達したと見なす第１時点ｔ１と、前記荷電粒子ビームが実際にターゲット基板にて基準電流密度に到達する第２時点ｔ２との間の線量偏差を補正する補正線量が決定される。 （もっと読む）

【課題】露光波長に対して短い吸収長を有し、高解像度でパターン化される高効率の吸収層を備えたフォトマスク、さらに、このような高効率の吸収層と反射防止層とを含むフォトマスクをパターン化する方法を提供する。
【解決手段】吸収層４２２と、吸収層の上方に配置された反射防止層４２４と、反射防止層の上方に配置されたハードマスク層４３０とを含むマスクブランク４００において、吸収層は、露光波長に対して吸収性を示し、その露光波長よりも長いか又はこれと等しい検査波長に対して反射性を示す。反射防止層は、検査波長に対して反射性を示さない。ハードマスク層の主成分のいずれにも、４１より大きい原子番号をもたない。このマスクブランクは、ＥＵＶＬ反射マスクブランク、又は透明なマスクブランクとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶブランク、基板又はＥＵＶマスクの製造中に欠陥が生じることがあり、これらの欠陥が、レジスト材料の露光中に欠陥をもたらす。
【解決手段】ＥＵＶマスク１０は、基板１１と、基板上の反射性多層膜１２と、少なくとも１つの第１部分１１１の範囲内において多層膜上に配置された位相シフト材料１３と、多層膜上で基板の第２部分１１２の範囲内に配置された、ＥＵＶマスクのマスクパターンに対応するマスク材料１４とを備える。基板と、基板上の反射性多層膜と、多層膜下又は多層膜内に少なくとも１つの欠陥１５とを含むＥＵＶマスクの修正方法は、欠陥領域内の欠陥により露光放射線の位相シフト差が生じる基板の欠陥領域の位置を決定するステップと、基板の少なくとも１つの第１部分であって、欠陥領域を少なくとも部分的に含む第１部分の範囲内において多層膜上に位相シフト材料を堆積するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】方向にもエッジ粗さにも制限されない構造体をレジスト材料に形成するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】形成される構造体２３１〜２３４の所定の角度α、βに応じて、レジスト材料が設置されている基板表面の位置を決定し、設定するステップを備える。露光装置の基準座標系１０１、１０２に関して、４５°の整数倍とは異なる任意の角度の構造体を形成することが可能になり、任意の角度をもつパターンを所望のエッジ粗さで、短時間に描画可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム書き込み等のリソグラフィック過程を用いたＥＵＶフォトマスクの製造過程において、露光パラメータを評価するための擬似ブランクを提供する。
【解決手段】擬似ブランクは、基板（１）と、ブランク層（３）又はブランク層システム（３１）と、放射線ビームを用いてパターン形成されるパターン層（１８）と、を備えている。前記ブランク層（３）又は前記ブランク層システム（３１）が、前記放射線ビームが照射されるときに、少なくとも２種類の異なる材料の層から構成される所定のマスク層システムの応答挙動を示すように構成され、前記所定のマスク層システムが前記ブランク層システム（３１）とは異なるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】層又は層積層体内に異なる構造深さを有する構造が製造されかつ露光工程を１工程しか必要としないフォトマスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】基板表面１０上に第１の露光感度を有する第１のレジスト材料２と第１の感度より低い感度の第２のレジスト材料３を塗布してレジスト積層体２０を製造する工程、レジスト積層体を局所的に異なる露光量に暴露する工程、レジスト積層体が第２の露光量に暴露された位置のみ基板表面を暴露させてレジスト積層体を現像する工程、基板表面が露出している位置において基板の第１及び第２の構造層１１、１２をエッチングする工程、第２のレジスト材料を除去する工程、レジスト積層体が第１の露光量に暴露された位置の基板表面を露出させて第１のレジスト材料を現像する工程、基板表面が露出している位置において基板の第２の構造層をエッチングする工程および第１のレジスト材料を除去する工程を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、照射系と照射系を採用するフォトリソグラフィ装置とに関する。
【解決手段】照射系は照射分布を生成する装置を備え、照射分布（６）は中心点（３２）および外縁（３３）を有し、中心点（３２）の周りに画定される第１の不透明部（３４）と、外縁（３３）に隣接して画定される第２の不透明部（３５）と、第１および第２の不透明部（３４、３５）の間に配置される放射線透過部（３６）とを含む。照射系はさらに偏光装置（２３）を含む。偏光装置（２３）は、少なくとも第１および第２の偏光方向（３１１ａ、ｂ）が生成されるように局所的に変化する偏光方向（３１１ａ、ｂ、ｃ、ｄ）を有する直線偏光電磁放射線を生成し、第１の偏光方向（３１１ａ）は第２の偏光方向（３１１ｂ）と異なり、照射分布の放射線透過部の少なくとも２つの異なる点での偏光方向が、この点と照射分布の中心点（３２）とをつなぐ線に平行である。 （もっと読む）

【課題】加工プロセス上で線状の縁の粗さの影響が特定できるようなテストパターンを提供する。
【解決手段】転移処理の少なくとも一つのパラメータを決める方法と同様に，テストパターン１，テストパターンの集合，テストパターンの転移特性を評価する方法についても言及している。テストパターン１によって，転移パターン上の線状の縁の粗さの影響は，分析することができる。 特に，テストパターン１は線／空間パターンを基準としていて，ここで明確な周期と振幅を持った周期構造１は，線２と隣接し，接触している。 さらに，前述のテストパターン１の転移特性を評価する方法へ向けられる。加えて，テストパターン１を用いるイメージングプロセスのような転移処理の，少なくとも一つのパラメータを決定する方法について言及する。 （もっと読む）