【課題】半導体発光素子に関し、特に均一な発光を可能とする電極構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】電子と正孔の再結合を利用して光を生成する半導体発光素子において、前記電子と前記正孔のいずれか一方を供給する第１枝電極７１と、前記電子と前記正孔のうち残りの一方を供給して、前記第１枝電極と第１間隔をおいて設けられた第２枝電極７２と、前記第１枝電極と電気的に接続しており、前記第２枝電極と第１間隔より小さい第２間隔をおいて設けられた第３枝電極７３とを含む。 （もっと読む）

【課題】 電流拡散を円滑にして発光素子の電気的な特性を向上させたIII族窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 バッファー層２００上のｎ型窒化物半導体層３００と；ｎ型窒化物半導体層３００上の活性層４００と；活性層４００上のｐ型窒化物半導体層５００と；ｐ型窒化物半導体層５００上のｐ側電極６００と；ｐ型窒化物半導体層５００と活性層４００がエッチングされて露出されたｎ型窒化物半導体層３００上に形成されたｎ側電極８００と；を含むIII族窒化物半導体発光素子において、ｐ型窒化物半導体層５００上には、ｐ側電極６００からｎ側電極８００方向に延在する枝電極が設けられ、枝電極の終端の指部７５４がｎ側電極８００に向けて二つに分岐されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いドーピング農度で、かつ結晶性の良いｎ型窒化物半導体層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層；活性層の一側に位置するｐ型窒化物半導体層；活性層の他の側に位置する第１電流拡散層；及び第１電流拡散層と活性層との間に位置し、３０ｎｍを超える第１窒化物半導体層を複数備える第２電流拡散層を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】静電気放電耐圧を向上させたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型ドーパントがドーピングされた第１窒化物半導体層３０ａと、前記第１窒化物半導体層よりも低いドーピング濃度を有するとともに、１０ｎｍを超える厚さを有する第２窒化物半導体層３０ｂとが交互に複数回積層された構造を含むｎ型窒化物半導体層３０と、ｐ型窒化物半導体層５００と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ形窒化物半導体層との間に位置し、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層４００と、前記ｎ型窒化物半導体層に電気的に連結されるｎ側電極８００と、前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に連結されるｐ側電極７００とを含む。 （もっと読む）

【課題】突起の側面方向の制約を解消しながらも、結晶性に優れ、突起を有する基板に対してスクライビングラインがなす角度を調節することによって外部量子効率を上げ、窒化物半導体の成長のための空間を基板上に十分に確保する。
【解決手段】電子と正孔の再結合により光を生成する活性層４０を備える複数個のIII族窒化物半導体層と、複数個のIII族窒化物半導体層の成長に利用される基板１０として、対向する２つの辺９１が丸められている突起９０を有する基板１０とを備えるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子に関し、特に、その電極構造に関する。ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、基板と、第１導電性を有する第１ＩＩＩ族窒化物半導体層、第１導電性とは異なる第２導電性を有する第２ＩＩＩ族窒化物半導体層、および第１ＩＩＩ族窒化物半導体層と第２ＩＩＩ族窒化物半導体層との間に位置し電子と正孔の再結合によって光を生成する活性層を含む複数のＩＩＩ族窒化物半導体層と、基板と複数のＩＩＩ族窒化物半導体層を貫通して形成されたホールとを備える。
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本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を開示する。ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、溝が形成された基板、基板上に成長した、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層を備える複数の窒化物半導体層、及び溝上に複数の窒化物半導体層に沿って形成された開口部を含むことを特徴とする。

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本発明は、それぞれのキーの下に配備されて、キーの上面を照らす発光素子と、それぞれのキーにより生成される信号をコンピュータに伝達するマイクロコントロールユニットで発光素子を制御するスイッチをさらに含み、コンピュータから伝えられた信号によりスイッチを制御するマイクロコントロールユニットと、を含むことを特徴とするキーボード装置、及びこれを利用してそれぞれのキーの色相を選定する方法に関するものである。
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本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
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