トランスデューサー、それを製造するシステム及び方法は、圧電ピラーの複合物を利用する。一実施形態において、本発明は、音響エネルギーを発生させるための装置であって、圧電物質で造られる複数のピラーを含んでおり、ピラーは、隣接したピラー間に空間が存在するように離隔方式で配列されており、ピラーは、幅と、上面と底面との間で延びる高さとを有しており、ピラーの高さは、ピラーの幅よりさらに大きく、空間は、複合アセンブリーを形成するように弾性物質で満たされている。
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半導体ウエハなどの平らな物を音響エネルギを用いて処理するシステム、装置及び方法。本発明によるシステム、装置及び方法は、洗浄処理において、ウエハの両面から微粒子を効率的かつ効果的に除去することが出来る観点を有する。本発明は、平らな物を処理する装置であり、装置は、平らな物を支持する回転可能な支持体、回転可能な支持体上の平らな物の第１の表面に液体を供給する第１のディスペンサ、及び、回転可能な支持体上の平らな物の第２の表面に液体を供給する第２のディスペンサ、を有し、更に、装置は、音響エネルギを生成する第１のトランスデューサ及び該第１のトランスデューサに音響的に接続された第１のトランスミッタを有する第１のトランスデューサ装置を有し、第１のトランスデューサ装置は、前記第１のディスペンサが前記回転支持体上の平らな物の前記第１の表面に液体を供給すると、前記第１のトランスデューサの一部分と前記平らな物の第１の表面の間に液体の第１のメニスカスが形成されるように位置決めされており、更に、装置は、音響エネルギを生成する第２のトランスデューサ及び該第２のトランスデューサに音響的に接続された第２のトランスミッタを有する第２のトランスデューサ装置を有し、該第２のトランスデューサ装置は、第２のディスペンサが回転支持体上の前記平らな物の第２の表面に液体を供給すると、前記第２のトランスデューサの一部分と前記平らな物の第２の表面の間に液体の第２のメニスカスが形成されるように位置決めされている。
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基板が回転自在な支持体と接触する領域に、毛細管部材を設けた、単一ウエハ用の処理チャンバ内で、基板を乾燥させるための装置及び方法。毛細管部材は、毛細管力により、基板と支持体間に閉じこめられた如何なる液体も接触領域において、中に引き込むことにより、基板のエッジエクスクルージョン領域を減らし、これにより産出量を増やす。本発明は、基板の周囲領域とだけ接触させる形で、基板を実質的に水平方向に支持する固定治具からなる回転自在な支持体を有し、固定治具は、毛細管部材からなる接触面を１以上有している。
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処理効率及び／又は有効性を増大させつつ、処理中に基板装置へのダメージを最小限にすることのできる、音響エネルギ源にパワーを供給する方法及び装置。本装置及び方法は、音響エネルギ源を駆動するために使用する電気信号の振幅を変動させ、及び／又は振動数を変化させるというコンセプトを利用するものである。これにより、基板に適用される音響エネルギの振幅及び振動数が、対応する形で変動し及び／又は変化する。音響エネルギで基板を処理する方法は、ａ）少なくとも一つの基板を処理チャンバ内に支持する、ｂ）ベースとなる電気信号を生成する、ｃ）該ベースとなる電気信号をアンプに伝達し、該アンプが該ベースとなる電気信号を最大振幅を有する出力電気信号に変換する、ｄ）該出力電気信号をトランスデューサに伝達して、該トランスデューサ該は出力電気信号を対応する音響エネルギに変換する、ｅ）該音響エネルギを、前記処理チャンバ内に支持された前記少なくとの一つの基板上に適用する、ｆ）該出力電気信号の最大振幅を変動させる、ことから構成される。
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