少なくとも１つの、少なくとも絶縁層および少なくとも１つの、絶縁層表面側の第一のメタライゼーションから成る金属絶縁層基板を備え、その金属絶縁層基板の第一のメタライゼーションがメタライゼーションエリアを形成するために構造化されており、並びに少なくとも１つの、損失熱を発生させる電気または電子コンポーネントを第一のメタライゼーションの第一のメタライゼーションエリアに備え、その際第一のメタライゼーションエリアが、コンポーネントと少なくとも熱的に接続されている部分エリアのところに、層の厚さを備え、その層の厚さが第一の部分エリアの第一のメタライゼーションエリアの層の厚さより大幅に厚い、電子装置、特に、電子回路または電子モジュール。 （もっと読む）

少なくとも１つのクーラー構造体と、金属セラミック基板上に少なくとも１つの電気構成素子を有する少なくとも１つの電気モジュールとを備える電気構成ユニット。 （もっと読む）

多層構造の平板状のセラミック材料と、セラミック材料の少なくとも１つの表面上に具備された金属被覆を備えた金属セラミック基板であって、その金属被覆がセラミック材料とダイレクトボンディング（ＤＣＢ法）または活性はんだによって接合され、そのセラミック材料が少なくとも１つの内側層または窒化シリコンセラミックベース層から成り、およびその際少なくとも１つの金属被覆を備えたセラミック材料表面が少なくとも１つのベース層上に施された酸化セラミック中間層を形成する金属セラミック基板。 （もっと読む）

【課題】直接接合法を用いて、両面を金属被膜化した金属−セラミック基板を製造するための方法を開示する。
【解決手段】第一および第二金属層３、５と該金属層３、５の間に位置するセラミック層４とを含む少なくとも１つのＤＣＢ積層構造が、直接接合温度にまで加熱することで支持体１の分離層２上に形成される。接合処理中、金属層３、５の少なくとも１つが分離層２と当接し、該分離層２はムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_３、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣＯ_２および該材料の少なくとも２つの混合物から成る群から選択した分離層材料から成る多孔性層またはコーティングから構成される。 （もっと読む）

【課題】直接接合法を用いて、両面を金属被膜化した金属−セラミック基板を製造するための方法を提供する。
【解決手段】直接接合法により、第一および第二金属層と該金属層の間に位置するセラミック層４とを含む少なくとも１つのＤＣＢ積層構造が、直接接合温度にまで加熱することで支持体の分離層２上に形成される。接合処理中、金属層の少なくとも１つが分離層２と当接し、該分離層２はムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_３、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣＯ_２および該材料の少なくとも２つの混合物から成る群から選択した分離層材料から成る多孔性層またはコーティングから構成される。 （もっと読む）

アルミニウム−窒素化合物または窒化シリコンセラミックでできており、かつ金属被覆がパターニングの前に活性半田付けによってそれに施着される、ベース基板を備える層状のセラミック材料の少なくとも一つの表層側面上に、エッチングによってパターン化される、少なくとも一つの金属被覆を備えた金属−セラミック基板であって、酸化物セラミックでできている中間層が、少なくとも一つの金属被覆とベース基板との間に設けられる。 （もっと読む）

シート型の多層のセラミック材料、およびセラミック材料の１つの表面側に備えられ、ダイレクトボンディングまたは活性はんだ付けによりセラミック材料に連結される少なくとも１つの金属被覆によるメタルセラミック基板の場合、セラミック材料は少なくとも１つの窒化シリコンセラミックの中間層またはベース層を含む。少なくとも１つの金属被覆を備えているセラミック材料の表面の側は、ベース層に適用された酸化セラミックの中間層によって形成される。 （もっと読む）

両面上に金属被覆を形成される少なくとも一つのセラミック層を備える金属−セラミック基板が、開示される。所定の測定電圧において１０ｐＣ未満の耐部分放電性を達成するために、セラミック層の厚さは、測定電圧の約６分の１に達する。 （もっと読む）