【課題】認証するためのパターンの偽造をより抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０と、前記基板１０上に設けられ、認証するためのパターンとして用いられる複数の自然形成量子ドット１２と、を具備する認証素子である。また、上記認証素子を備えた被認証物である。 （もっと読む）

【課題】高調波光を安定して出射することが可能なレーザシステムを提供すること。
【解決手段】本発明は、レーザ光２４を発振するＤＦＢレーザ１２と、ＤＦＢレーザ１２の温度を調節するヒータ１４と、レーザ光２４をレーザ光２４の高調波光３４に変換する高調波生成素子１８と、を有するレーザモジュール１０と、レーザ光２４の波長を変調させて、高調波光３４の強度から変調に用いた変調信号に同期した検出信号を検出し、検出信号の振幅が小さくなるようにヒータ１４に注入するヒータ電流２８の大きさを制御する制御部４０と、を具備するレーザシステム１００である。 （もっと読む）

【課題】温度が変化した場合でも、レーザ光の波長を容易に高調波生成素子で変換可能な波長範囲内にすることが可能なレーザシステムおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、レーザ光３６を発振するＤＦＢレーザ１２と、ＤＦＢレーザ１２の温度調節をするヒータ１４と、レーザ光３６をレーザ光３６の高調波光３８に変換する高調波生成素子２０と、を有するレーザモジュール１０と、レーザモジュール１０の温度が所定の温度において、ＤＦＢレーザ１２が発振したレーザ光３６の波長が高調波生成素子２０で変換可能な波長範囲内になるように、ＤＦＢレーザ１２を駆動する駆動電流２６を制御し、レーザモジュール１０の温度が所定の温度から変化した場合に、レーザ光３６の波長が高調波生成素子２０で変換可能な波長範囲内になるように、ヒータ１４に投入するヒータ電流２８を制御する制御部４０と、を具備するレーザシステムである。 （もっと読む）

【課題】コストを増大させることなく、レーザダイオードの光出力をフォトダイオードで検出することが可能な光半導体装置及びそれを用いた光モジュールを得ること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に順次積層された下部クラッド層２２と活性層２４と下部クラッド層２２と反対の導電型の上部クラッド層２６とを含む半導体層２０を有し、レーザ光を出射する前端面１６と前端面１６と反対側の端面である後端面１８との間を半導体層２０が延在して形成されたレーザダイオード１２と、半導体基板１０上にレーザダイオード１２の幅方向に形成され、レーザダイオード１２の光出力を検出するフォトダイオード１４と、を具備し、レーザダイオード１２は、半導体層２０のうちの少なくとも上部クラッド層２６の幅が変化する幅変化部を有する光半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高いシングルモード歩留まりを実現すること。
【解決手段】本発明は、複数の量子ドット３８を有し、量子ドット３８の密度が密な領域４０と疎な領域４２とが周期的に繰り返された量子ドット活性層１６と、量子ドット活性層１６の上側又は下側に形成され、周期的な凹凸からなる回折格子３０を有する回折格子層１４と、量子ドット活性層１６と回折格子層１４とを上下方向から挟み込むように形成された第１導電型（ｎ型）を有する下部クラッド層１２と第１導電型と反対の導電型の第２導電型（ｐ型）を有する上部クラッド層１８と、を具備する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】駆動電力の変調によりレーザ光を強度変調させる場合でも、レーザ光の波長の変動を抑制すること。
【解決手段】本発明は、駆動電力が変調されることで強度変調されたレーザ光１４を出射する活性層５８を含む半導体層と、活性層５８の温度を一定に維持するためのヒータ部１６と、を有するＤＦＢレーザ１０と、変調された駆動電力による活性層５８の温度変化を打ち消すように、駆動電力の変調信号を反転した信号で変調されたヒータ電力をヒータ部１６に印加する制御部８０と、を具備するレーザシステムである。 （もっと読む）

【課題】一定の動作電流において、動作温度の変化に伴う光出力の変動を抑制することが可能な半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の量子ドット３６を有する量子ドット活性層１４と量子ドット活性層１４を挟む下部クラッド層１２、上部クラッド層１６とを含む半導体層１８と、量子ドット活性層１４から出射されるレーザ光の出射端面３５を覆うように半導体層１８の端面２８に設けられた反射膜３２ａと、を具備し、反射膜３２ａは、動作電流を一定にした場合におけるレーザ光の光出力の温度依存を打ち消すように変化する反射率を有する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】広い温度領域で安定した高い結合効率を維持すること。
【解決手段】本発明は、実装部であるステム１２上に設けられたレーザダイオード１４と、レーザダイオード１４の出射光を集光する樹脂レンズ２０と、ステム１２上に固定され、レーザダイオード１４の光軸方向に延在し、樹脂レンズ２０を支持するレンズ支持部２２と、を具備し、レンズ支持部２２は、温度上昇に伴いレーザダイオード１４と樹脂レンズ２０との間隔を広げるような熱膨張係数を有する光半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】量子ドットレーザにおいて、導波領域での高次モードの発生が抑制される半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、第１導電型を有し、ＡｌＧａＡｓ層である下部クラッド層１４と、下部クラッド層１４上に設けられ、複数の量子ドットを有する活性層１８と、活性層１８上に順次設けられた第１ＡｌＧａＡｓ層７４と第２ＡｌＧａＡｓ層７６と第３ＡｌＧａＡｓ層７８とを有し、第２ＡｌＧａＡｓ層７６と第３ＡｌＧａＡｓ層７８とは孤立したリッジ部２６を形成し、リッジ部２６の両側には第１ＡｌＧａＡｓ層７４が残存する、第１導電型と反対の導電型の第２導電型である上部クラッド層２２と、を具備し、第２ＡｌＧａＡｓ層７６のＡｌ組成比は、第１ＡｌＧａＡｓ層７４及び第３ＡｌＧａＡｓ層７８のＡｌ組成比よりも大きい半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】高効率化可能なレーザシステムを提供すること。
【解決手段】レーザ光５２を出射するＤＦＢレーザ１０と、レーザ光５２をレーザ光の高調波光５４に変換する高調波生成素子３０と、ＤＦＢレーザ１０が形成された半導体層のレーザ光の出射面に設けられたレーザ光に対する反射防止膜である第１膜１８と、半導体層の出射面とは反対の面に設けられたレーザ光に対する高反射膜である第２膜１６と、高調波生成素子３０のレーザ光５２の入射面に設けられたレーザ光５２に対する反射防止膜である第３膜３６と、高調波生成素子３０の高調波光５４の出射面に設けられたレーザ光５２に対する高反射膜であり高調波光５４に対し反射防止膜である第４膜３８と、を具備するレーザシステム。 （もっと読む）