【課題】縦型接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）およびショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）を備えるスイッチング素子を提供すること。
【解決手段】自己整合縦型接合型電界効果トランジスタを、エッチング注入ゲートおよび集積逆並列ショットキーバリアダイオードと組み合わせたスイッチング素子が、記載されている。ダイオードのアノードは、漂遊インダクタンスによる損失を低減するために、デバイスレベルでトランジスタのソースに接続される。ＳＢＤアノード領域におけるＳｉＣ表面は、ＳＢＤのターンオン電圧と関連するパワー損失が低減されるよう低いショットキーバリア高さを達成するために、乾式エッチングによって調整される。 （もっと読む）

【解決手段】 化学気相堆積法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎＣＶＤ）を用いた炭素ケイ酸のエピタキシャル成長方法が提供される。この方法は、ハロゲン化炭素前駆体を利用し、更にケイ素及び炭素を含むハロゲン含有中間体化学生成物間の気相相互作用制御するものである。また、デバイス品質であるエピタキシャル層を、低い成長温度で尚且つ軸上又は低いオフ角の基板表面上にて達成される可能性が確認された。当該成長方法は、ＳｉＣ基板表面の非ケイ素カートリッジ領域に形成されるウインドウの中に成長を制限させることにより、所望の形と大きさのＳｉＣデバイス領域の形成に適用可能である。本願明細書に記載された当該発明を適用させることにより、高品質炭化ケイ素物質及びデバイスの製造に大きな利益を与えるものである。 （もっと読む）

半導体装置およびその装置の製造方法を説明する。装置は、ＳｉＣにおいて実施され、エピタキシャルに成長したｎ型ドリフト、ｐ型溝ゲート領域、およびｐ−溝ゲート領域の上にあるｎ型のエピタキシャルに再成長したチャネル領域を含んでよい。ソース領域は、チャネル領域の上でエピタキシャルに再成長したり、選択的にチャネル領域に注入してよい。その後、ソース、ゲートおよびドレイン領域とのオーム接点が形成されてよい。装置は、ガードリング、接合型ターミネーション・エクステンション（ＪＴＥ）、またはその他の適当なｐ−ｎ遮断構造などのエッジターミネーション構造を含んでよい。装置は異なる閾値電圧で加工してよく、同じチャネルドーピングに対して、減少および増加モードの両方の操作を行ってよい。装置は、デジタル、アナログ、およびモノリシックのマイクロ波集積回路で個別電力トランジスタとして使用してよい。
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自己整合縦型接合型電界効果トランジスタを、エッチング注入ゲートおよび集積逆並列ショットキーバリアダイオードと組み合わせたスイッチング素子が、記載されている。ダイオードのアノードは、漂遊インダクタンスによる損失を低減するために、デバイスレベルでトランジスタのソースに接続される。ＳＢＤアノード領域におけるＳｉＣ表面は、ＳＢＤのターンオン電圧と関連するパワー損失が低減されるよう低いショットキーバリア高さを達成するために、乾式エッチングによって調整される。
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