説明

ユニバーシティー オブ トロントにより出願された特許

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感知装置は、センサーと、制御ユニットと、入出力(I/O)インタフェースと、1又はそれ以上のメモリセルを有する不揮発性磁気メモリ装置とを含み、この不揮発性磁気メモリ装置の各メモリセルは、磁気構成要素とこの磁気構成要素の近くに配置されて、この磁気構成要素における残留磁気極性を作り出すために十分な電流を受けるように連結された書込みコイルとを含む磁気スイッチと、この磁気構成要素の近くに配置されて記憶データビットを表す残留磁気極性を検出するためのホールセンサーとを含む。
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【課題】 不揮発性磁気メモリデバイスを作製する単純化された方法を提供する。
【解決手段】 1つまたはそれ以上のメモリセルを有する不揮発性磁気メモリデバイスであって、メモリセルの各々は、磁気コンポーネントと、磁気コンポーネントに近接した位置にあり、磁気コンポーネントに残留磁気極性を生じさせるのに十分な電流を受けるように連結された書き込みコイルとを含む磁気スイッチと、記憶データビットを表す残留磁気極性を検出するために、磁気コンポーネントに近接して配置したホールセンサとを含む。 (もっと読む)


磁気メモリデバイスにおいて使用するための調整可能な磁気スイッチであって、バイアス磁場を与えるための磁気源と、バイアス磁場内に配置された磁気部品と、磁気リコイル効果にしたがって磁気部品中に所定の磁化レベルを設定するために磁気部品の周囲に同軸に配置されたコイルとを含む調整可能な磁気スイッチ。
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