【課題】 Ｘ方向の寸法よりもＹ方向の寸法が大きいイオンビームに対して低エネルギーの電子を広範囲に供給することができ、それによって基板の帯電を均一性良く抑制することができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビーム２のＸ方向側の側面に対向する位置に設けられた電極２０ａを備えている。電極２０ａ内には、Ｙ方向に長い環状の永久磁石２４と、その内側に配置されていてＹ方向に長く永久磁石２４とは反対極性の永久磁石２６とが設けられている。この装置は更に、両永久磁石２４、２６間に形成されるトンネル状磁界の領域に電子５０を供給する電子源３０ａを備えている。 （もっと読む）

【課題】 高密度のプラズマを安定的に供給可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 内部を減圧可能な真空容器１０と、真空容器１０に設けられた誘電体２０とを備え、誘電体２０を介して真空容器１０内に電磁波を導入することによりプラズマを生成するプラズマ発生装置１であって、誘電体２０は、環状に形成され、真空容器１０の内壁に埋設される外周側の埋設部２０ａと、真空容器１０内に露出する内周側の露出部２０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】イオンプレーティングにおいて、プラズマを高密度化、均一化、低圧力化することによって、効率良くかつ均一に成膜する。
【解決手段】真空チャンバ１中において、成膜材料３と、蒸着膜を形成すべき被処理物１３とを対向配置し、成膜材料および被処理物の間の空間にプラズマＰを生成するとともに該プラズマをラインカスプ型磁場によって閉じ込め、成膜材料を加熱蒸発させて、その蒸発粒子をプラズマによってイオン化し、プラズマとともに被処理物に照射することにより、被処理物に成膜材料の蒸着膜を形成する。 （もっと読む）