説明

エーリコン・トレイディング・アーゲー・トリューバッハにより出願された特許

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ジルコニアをベースにした層を蒸着基板上に作製するために、パルススパーク電流および/またはスパーク標的に対して垂直な磁場の印加を用いる反応性スパーク蒸着を使用し、ジルコニウム元素と少なくとも1つの安定化剤とを含む混合標的を用いるか、または反応性ガスとして、酸素に加えて窒素を用いる、ジルコニウム元素を含むジルコニウム標的を用いる。代替法としてはまた、混合標的の使用と組み合わせて、反応性ガスとして、酸素に加えて窒素を用いることも可能である。 (もっと読む)


コーティングシステムは、(AlCr1−y)X(式中、Xは、N、CN、BN、NO、CNO、CBN、BNOおよびCNBOからなる群の1種を表し、yは、金属相部分の化学量論組成を記載する)から実質的になる少なくとも1つのタイプA層と、(AlCr1−u−v−wSiMe)X(式中、Xは、N、CN、BN、NO、CNO、CBN、BNOおよびCNBOからなる群の1種を表し、Meは、W、Nb、MoおよびTaからなる群の1種または該群の構成要素の2種以上の混合物を表し、u、vおよびwは、金属相部分の化学量論組成を記載する)から実質的になる少なくとも1つのタイプB層とを含む。上記タイプA層対上記タイプB層の厚さ比は、1を超える。ワークピースは、このようなコーティングシステムを含む。これにより、非常に優れた摩耗保護が提供され、コーティングシステムおよびワークピースは、広範な種々の適用に用いられ得る。
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回転台(19)上に実装された加工物用遊星運搬台(22)が真空チャンバ内に設けられる。雲の中心軸(ACL)が回転台(19)の回転軸(A20)と交差するように、イオン含有雲(CL)の供給源(24)が設けられる。雲(CL)は、遊星軸(A22)の移動経路(T)でのイオン密度プロファイルが、前述の中心軸(ACL)から遊星運搬体(22)の直径のせいぜい半分の距離で最大イオン密度の50%に低下する。遊星運搬台(22)上の加工物がイオン含有雲によってエッチングされるとき、エッチング除去された材料は、実質的に、隣接した遊星運搬台上に再堆積されるのでなく、真空チャンバの壁の方へ放出される。
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プラズマ法を実施するための真空処理装置もしくは真空処理方法であって、このとき前記処理は真空室(1)内で行われ、前記真空室には、陰極(10)及び前記陰極にアーク発生器を介して電気的に接続可能な陽極(13)から構成されている、低電圧アーク放電(15)(NVBE)を発生させるための装置と、ワークピース(2)を受容及び移動させるための、電気的にバイアス発生器(16)に接続可能なワークピースキャリア(7)と、少なくとも1つの不活性ガス及び/又は反応性ガスのための供給口(8)と、が配置されている。このとき、少なくとも前記陽極の表面の一部はグラファイトから構成されており、高温にて作動する。
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本発明は、単層または多層PVD被覆されたエッジの鋭い切削工具であって、同時に十分な耐磨耗性及び熱化学耐性、並びにエッジチッピングに対する耐性を示すことができる切削工具を提供することである。切削工具は、エッジ半径R、逃げ面及びすくい面、並びに焼結体表面の少なくとも各部を被覆する少なくとも1つの酸化PVD層を含むPVD被膜から成る単層または多層被膜を有する切削エッジを備えた超硬合金、CBN、サーメットまたはセラミック材料から成る焼結体を含む。1実施形態において、エッジ半径Rは40μmより小さく、好ましくは30μmと同等かまたはそれより小さい。表面が被覆される部分は、少なくとも焼結体の鋭いエッジのある部分を含む。 (もっと読む)


集合的に薄膜太陽モジュールを形成する複数の太陽電池の中から太陽電池の欠陥領域を特定するための方法及び試験システムが提供される。プローブが、複数の太陽電池の1つ又はそれ以上の異なる領域に設けられた電気的接触部と隣接して実質的に同時にセットされるように配置された複数のテストフィンガーを含み、各テストフィンガーが、1つ又は複数の太陽電池の異なる領域からの電気的出力を受信する。光源が、試験の間に太陽電池によって電気的出力に変換される光を放出する。測定回路が、太陽電池の異なる領域から受信した電気的出力の特性を測定し、測定回路によって測定された特性を示す測定値信号を送信する。さらに、制御ユニットが、測定値信号を受信し、測定値信号の少なくとも一部に基づいて太陽モジュールの異なる領域の少なくとも1つが、欠陥領域であることを示す可視的な表示を形成し、また、太陽モジュール上の欠陥領域の位置を示す。
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本発明は、基板の周辺領域において、コーティングされた基板の薄膜をアブレーションするための装置と、そのための方法とに関する。本発明に係る装置は、レーザー発振器と、レーザー光線をアブレーション領域に誘導するための光学ユニットと、平坦な基板のためのホルダとを含む。前記ホルダは、基板がその平面において、2つの独立した直線方向において直線的に動くことを可能とする。前記ホルダは、基板がその表面上に垂直に立つ軸を中心として回転することを可能にする。これによって、光学ユニット及び、アブレーションされた材料の最終的な除去のための手段に関して、装置を単純化かつ固定して構成することが可能となる。
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加工物をコーティングするためのPVD皮膜システムには、少なくとも1つの複酸化物混合結晶皮膜が含まれる。当該複酸化物の組成は(Me11−xMe2である。このとき、Me1およびMe2はそれぞれ、Al,Cr,Fe,Li,Mg,Mn,Nb,Ti,SbあるいはVのうちの少なくとも1つの元素である。元素Me1およびMe2は、それぞれ異なる。PVD皮膜システムにおける混合結晶皮膜の結晶格子はコランダム型構造を有している。当該コランダム型構造は、X線回折で測定された前記混合結晶皮膜のスペクトルにおいて、少なくとも3本の、コランダム型構造に特有のラインを有することを特徴としている。さらに、複酸化物の混合結晶皮膜を形成するための真空コーティング法と、当該方法でコーティングされた工具および部品が開示されている。 (もっと読む)


本体(3)と、耐磨耗性ハードコーティングシステム(HL)とを有し、前記システムは以下の組成を有する層を含むワークピース:(Al1−a−b−cCr)X、XはN、C、CN、NO、CO、CNOのうちの少なくとも一つであり、ZはW、Mo、Ta、Cb(Nb)のうちの少なくとも一つである。a、b、及びcは特定の範囲に含まれる。
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伝導性の低い、特に絶縁性を有する皮膜を、少なくとも1つの加工物に真空めっきによって製造するための方法であって、反応性ガスを含む雰囲気下において、アークソースの少なくとも1つの陽極と1つの陰極との間でアーク放電が行われ、電子によって陰極と接続されたターゲットの表面には、蒸発プロセスを支援するための磁界は全く形成されないか、あるいは蒸発プロセスを支援するための小さい、ターゲットの表面に対して概ね垂直な外部磁界のみが形成されるが、このとき表面が他のコーティングソースによって再コーティングされる率は10%よりも小さいか、もしくは軸方向に分極した、ターゲットの外周面に似たジオメトリを有する少なくとも1つのコイルを含むマグネットシステムによって、磁界が形成される。 (もっと読む)


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