データキャッシュのためのデータプリフェッチングは、プリフェッチヒットのトラッキングに基づいてディセーブルにされ、データキャッシュのためのデータプリフェッチングは、全ヒットのトラッキングに基づいてイネーブルにされる。例えば、1つまたは複数の実施形態では、キャッシュコントローラは、プリフェッチされたデータ行に関係するデータキャッシュ上のヒットの割合を反映するプリフェッチヒット率をトラッキングし、プリフェッチヒット率が定義された閾値より低下した場合は、データプリフェッチングをディセーブルにするように構成される。キャッシュコントローラはまた、データキャッシュヒット(対ミス)の全割合を反映する全ヒット率をトラッキングし、全ヒット率が定義された閾値より低下した場合は、データプリフェッチングをイネーブルにする。
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ＭＥＭＳデバイスのための支持構造、およびその方法
保護材料によって取り囲まれた犠牲材料で形成された支持構造を有する微小電気機械システムデバイス。微小電気機械システムデバイスは、上に電極を形成された基板を含む。キャビティによって第一の電極から分離された別の電極は、犠牲材料で形成された支持構造によって支持される移動可能層を形成する。
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支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法
ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。
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ＭＥＭＳデバイスのための支持構造、およびその方法
ドーパント材料を選択的に拡散された犠牲材料で形成された、または選択的に酸化された金属犠牲材料で形成された支持構造を有する微小電気機械システムデバイス。該微小電気機械システムデバイスは、電極を上に形成された基板を含む。別の電極が、キャビティによって第一の電極から分離され、移動可能層を形成する。該移動可能層は、拡散された、または酸化された犠牲材料で形成された支持構造によって支持される。
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本発明の１つの実施形態では、インターフェロメトリック光変調デバイス内において内部双極子モーメントを形成する方法が開示される。特定の実施形態では、該方法は、インターフェロメトリック光変調デバイスの誘電体層に熱および電場を加えることを含む。該方法を実施される前は、誘電体層は、可動電荷を有する、またはランダムな双極子を含む。しかしながら、該方法を実施された後は、これらのランダムな双極子は、概ね揃えられ、その結果、誘電体層内に、一定の双極子モーメントが誘起される。電場は、誘電体層内に双極子モーメントを形成し、熱は、更なる活性化エネルギを供給することによってプロセスの速度を増大させる働きをする。誘電体層内に双極子モーメントを誘起されると、インターフェロメトリック光変調デバイスの作動に必要とされる電圧の少なくとも一部を提供する内部電圧源を得ることができる。誘起された双極子モーメントは、また、動作中にデバイス内で制御不能な電荷シフトが生じる可能性を低減させる。
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ＭＥＭＳディスプレイ素子（１２ａ，１２ｂ）に表示データを書き込む方法が、電荷の蓄積および経時変化の差を最小に抑えるように構成される。行への画像（５６，６０）データの書き込みと同時に、次の行への事前書き込み動作（５８，６２）が実施される。事前書き込み動作は、次の行に、画像データまたはその画像データの逆を書き込みする。実施形態によっては、画像データの書き込みと逆画像データの書き込みとの間において、ランダムまたは擬似ランダムに選択が実施される。
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