【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO₂パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 （もっと読む）

【課題】低温処理で、所望のＳｉＮ膜を製造できるようにする。
【解決手段】処理対象に対して窒素系ガス（窒素（Ｎ_２）ガス、アンモニア（ＮＨ_３）ガス、ジアジン（Ｎ_２Ｈ_２）ガス、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）ガスなど）を供給する手段と、前記処理対象に対してシリコン系ガス（アミノ基、ジメチルアミノ基又はエチルアミノ基を有するもの。シランガス、ジシランガス、ジシラザンガスなど）を供給する手段と、前記各ガスの供給時に前記処理対象を減圧環境とする手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の形成に自由度をもたせる。低温で窒素成分を低減または含まない酸化膜を形成する。バッチ方式の成長装置にて低温で厚い酸化膜膜を形成する。
【解決手段】アルキル基或いはアルコキシ基を含むシリコン系のガス又はシロキサンガス又はシラザンガスと、前記ガスを酸化させる酸化剤とを、減圧状態で５００℃以下の温度下で反応させる。前記ガスに対して、シランガス、ジシランガス、リン系ガス、又は、ボロン系ガスを添加剤として反応させる。 （もっと読む）

【課題】いかなる濃度イオン注入がなされているレジストであってもアッシングできるようにする。
【解決手段】チャンバー７によって、レジストが塗布されているウェハに紫外光を照射する。チャンバー５によって、ウェハをオゾンガスに接触させてアッシングする。チャンバー６によって、レジストの成分に対応する半導体ガスを接触させる。チャンバー７によって、紫外光を照射したウェハに対してオゾンガスを接触させる。 （もっと読む）

【課題】イオン拡散の発生を防止でき、さらにガラス基板との密着性の良い膜を形成する半導体デバイス、半導体製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置に、半導体基材上に設けられた絶縁膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の窒化膜を形成する手段５と、前記窒化膜に１２００ＧＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段６，７と、前記窒化膜上に１５ｎｍ以下の膜厚の別の窒化膜を形成する手段５と、前記別の窒化膜に１５００ＭＰａ以上の引っ張り力が備わるように処理する手段６，７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多孔質低誘電率膜と絶縁物バリア膜との誘電率及び機械的強度の制御を容易にする。
【解決手段】反応基が他の官能基に比して切断されやすい状態の反応ガスによって製造対象の半導体ウェハを処理する。典型的には、反応ガス自体を、ＯＣ_２Ｈ_５基又はＯＣＨ_３基等を有するシロキサンガスを反応ガスとし、Ｃ_２Ｈ_５基等が離脱した後に残る酸素（Ｏ）の相互結合、或いは、Ｃ_２Ｈ_５基とＯＣ_２Ｈ_５基又はＯＣＨ_３基との反応を経て、低誘電率膜又は絶縁物バリア膜を形成させる。 （もっと読む）