双安定位置を有する機械素子は、スイッチ及びメモリ素子の形成に用いられる。前記素子は互いに異なる位置にアクチュエートでき、メモリ素子を提供するための多様な構成によってトランジスタ素子と結合することができる。アクチュエーションメカニズムは、加熱及び静電気的方法を備える。一例として、前記機械素子は電界効果トランジスタのゲート役割をすることができる。他の例として、前記素子をスイッチとすることができる。すなわち、前記素子はオン及びオフ時に、電気的特性に影響を及ぼす目的として、多様な方法で前記トランジスタに結合される。一実施の形態において、メモリ位置は伸長または収縮する膜で形成されている側壁を含む。
クロスポイントスイッチは、複数の交差する導体の伝導性の行と列で形成される。各交差点が独立的にアドレス指定できるように、前記行と列の各交差点との間にアクチュエート可能なスイッチが配置される。
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