エッチングレジスト灰化プロセスに代わる剥離プロセスにおいて用いることができる配線工程（ＢＥＯＬ）の剥離剤溶液が提供される。この剥離剤溶液は、良好な効率性及び低く許容できる金属エッチング速度で、半導体集積回路のための半導体デバイス上に回路を製造及び／又は電極を形成するのに有用である。好ましい剥離剤は、極性で非プロトン性の溶媒、水、アミン、及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドではない第４級水酸化物を含む。更に、これらの方法にしたがって製造される集積回路デバイス及び電子相互接続構造が提供される。 （もっと読む）

半導体集積回路及び／又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び／又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート（特に銅エッチレート及びＴｉＷエッチレート）の低下したレジスト剥離剤を、その使用方法とともに提供する。好ましい剥離剤は、添加された銅塩とともに、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するための添加されたアミンとともに、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有する。更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造を提供する。 （もっと読む）

半導体集積回路用の半導体デバイス上に回路を製作及び／又は電極を形成するのに有用な、低減された金属エッチレート、特に低減された銅エッチレートを有するレジスト剥離剤を、それらの使用法とともに提供する。好適な剥離剤は、低濃度の銅塩又はコバルト塩を、銅塩又はコバルト塩の溶解度を改良するためのアミンと共に又はアミンなしで含有する。さらに、これらの方法に従って製造された集積回路デバイス及び電子相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

基板から１、２またはそれより多くのフォトレジスト層を除去するための改善された乾性剥離液を提供する。本剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、および、アルカノールアミン、任意の第二の溶媒を含み、含水量は約３重量％未満であり、および／または、乾燥係数が少なくとも約１である。さらに、改善された乾性剥離液の製造および使用方法も提供する。複数のレジスト層を、その下に存在する構造のどれにもダメージを与えることなく除去し、その下に存在する誘電性の関連基板を露出させることによって、電気的相互接続構造を製造するためのこのような新規の剥離液を使用した有利な溶液方法を提供する。 （もっと読む）

基板から１、２またはそれより多くのフォトレジスト層を除去するための改善された乾燥剥離溶液を提供する。本剥離溶液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、およびアルカノールアミン、任意に第二の溶媒、約３重量％未満の水を含み、および／または少なくとも約１の乾燥係数を有する。さらに、このような改善された乾燥剥離溶液の製造方法およびその使用を提供する。 （もっと読む）