本発明は、４４ミクロン未満の微細で均一な等軸粒構造を備え、電子後方散乱回折（「ＥＢＳＤ」）によって測定されたときに、選択されたテクスチャ配向が無く、ターゲット本体の全体を通して粒径のバンディングまたはテクスチャのバンディングを示さない、スパッタリングターゲットに関する。本発明は、レンズ状または扁平な粒構造を伴い、ＥＢＳＤによって測定されたときに、選択されたテクスチャ配向が無く、ターゲット本体の全体を通して粒径またはテクスチャのバンディングを示さない、スパッタリングターゲットに関し、ターゲットが、スパッタリング材料の層および少なくとも１つの付加層をバッキングプレートの界面において組み込む層状組織を有し、該層は、バッキングプレートの熱膨張係数（「ＣＴＥ」）とスパッタリング材料の層のＣＴＥとの間のＣＴＥ値を有する。 （もっと読む）