【課題】光起電力変換効率を向上させる光起電装置およびそれを製造する方法に関する。
【解決手段】光起電装置は、第１半導体層と、第１半導体層上に配置される第２半導体層と、第１半導体層に接続している第１電極層と、第２半導体層に接続し、第２半導体層を露出させるために開かれた領域を有する第２電極層と、開かれた領域に配置されて、第２電極層および第２半導体層に接続している低反射導電膜とから成り、低反射導電膜の抵抗率は第２半導体層の抵抗率以下である。従って、本発明によって提供される光起電装置は有効に低下した浮遊直列抵抗作用を呈し、それによって光起電力変換効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】レードームおよびそれを備えるマイクロストリップ・パッチ・アンテナを提供する。
【解決手段】レードームを備えるマイクロストリップ・パッチ・アンテナの利得値が増大するのに対して、そのサイズは限られたサイズのままであり得る。レードームは、上面１１１および下面を有するレードーム本体１１と、上面に位置し、かつ複数の第１リング利得増強ユニット１２１を含む第１利得増強パターン１２と、下面に位置し、かつ複数の第２リング利得増強ユニットを含む第２利得増強パターンとを備える。第１リング利得増強ユニットは第１導電リングおよび第２導電リングを含み、第２リング利得増強ユニットは第３導電リングおよび第４導電リングを含む。また、第３導電リングの開放方向は第１導電リングの開放方向に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】圧電セラミック素子の製造方法における改良された製造方法の提供。
【解決手段】改良された製造方法は、モールド・キャビティ体１０内に金属板２０を固定し、金属板２０の上面に円筒型中空ブッシング１１を配置する工程、ブッシング１１内の金属板２０上に結合部分となる金属ペースト２１を塗布する工程、圧電セラミック粉末２２を前記金属ペースト２１の上に置く工程、圧縮ピラー１３を圧電セラミック粉末２２に押し付ける工程、圧電セラミック粉末２２が所定の厚さになるように圧縮ピラー１３の位置を調整する工程、前記圧縮ピラー１３を適切な位置に固定１２する工程、および圧電セラミック粉末２２を焼結体として焼結するようにモールド・キャビティ体１０を加熱する工程からなる。まだ二極化していない焼結体を処理して圧電セラミックシート２２になるように、モールド・キャビティ体１０を加熱する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】バンドノッチ特性を有する超広帯域アンテナ、詳細には、特定周波数範囲において送受信を抑制することが可能である超広帯域アンテナを得る。
【解決手段】超広帯域アンテナは、基板と、前記基板に取り付けられ、第１スロットおよび第１ストリップ穴で開かれた接地ユニットと、前記基板に取り付けられ、水平部分および垂直部分を含む信号供給ユニットであって、前記水平部分は第１スロットに位置し、前記垂直部分は第１ストリップ穴に位置する信号供給ユニットと、第１相補的な別個の円形共振器と、第２相補的な別個の円形共振器とを含み、前記第１相補的な別個の円形共振器および前記第２相補的な別個の円形共振器は信号供給ユニットの前記水平部分に取り付けられ、相互に接続される。 （もっと読む）

【課題】入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更することなしに中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置の提供。
【解決手段】高周波表面音波装置が開示されている。開示の高周波表面音波装置は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を容易に調整することができる。開示の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面上か、または下に対で形成される。また、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは０．５μｍ〜２０μｍであることができる。圧電層はＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ₃から作られることができる。圧電層の厚さは０．５μｍ〜５μｍであることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波SAWデバイスの製造コスト削減の為、その基板として高価なサファイア基板の要件を排除する高周波SAWデバイスの提供。
【解決手段】高周波SAWデバイス２は、基板２１と、前記基板２１の表面上に形成された第1緩衝層２２と、前記第1緩衝層２２の表面上に形成された第2緩衝層２３と、前記第2緩衝層２３の表面上に形成された圧電層２４と、入力変換ユニット２５と、出力変換ユニット２６とを備えて成り、前記入力変換ユニット２５および前記出力変換ユニット２６は前記圧電層２４の表面上もしくはその下方に夫々対として形成される。 （もっと読む）

【課題】低周波表面音響波デバイスを製造するために必要とされるのと同一の製造機器により且つ同一の材料を以て製造され得る高周波表面音響波デバイスを実現する。
【解決手段】圧電基板１０と、圧電基板１０の表面上に形成され、その表面音響波の音響波速度は5,000ｍ／秒より大きいという高音響波速度層１１と、入力変換部１２と、出力変換部１３とを備え、入力変換部１２および出力変換部１３は高音響波速度層１１の表面上または該表面下に対として形成される。更に、高音響波速度層１１は、好適には酸化アルミニウムで作成されると共に、電子ビーム蒸着プロセスにより圧電基板１０の表面上に形成される。その厚みは好適には、2μm〜20μmである。 （もっと読む）

【課題】多結晶Ｓｉ層を含む多結晶ＳｉのＴＦＴまたは多結晶Ｓｉのデバイスを製造するのに使用される、多結晶Ｓｉ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】多結晶Ｓｉ薄膜を形成する方法は、（Ａ）基板１０を準備すること、（Ｂ）基板の表面にアモルファスＳｉ層１１を形成すること、（Ｃ）少なくとも１枚の金属板１２を取り付けて、それにより積層を形成すること、（Ｄ）積層に光を照射して、それによりアモルファスＳｉ層から多結晶Ｓｉ層１５を形成すること、（Ｅ）金属板を取り除いて多結晶Ｓｉ層を得ることを含む。急速熱アニール（ＲＴＡ）プロセスが、加熱時間を短縮するためにステップ（Ｄ）の光照射プロセスに適用される。金属板による光の熱への変換がアモルファスシリコン層に対してさらに行われ、急速熱結晶化が実現される。こうして、多結晶Ｓｉ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板、反射シート、及び複数の支持ユニットを含む部分反射表面アンテナを提供する。
【解決手段】基板２１の上面には、高周波信号を受信し出力するための信号Ｉ／Ｏ２１２が形成されている。反射シート２２は、高周波信号を部分的に反射し、反射シート２２の表面に配置されたアレイアンテナブロック２４を含む。複数の支持ユニット２３１、２３２、２３３、２３４は、反射シート２２を支持し、反射シート２２を基板２１の上面上に配置し、反射シート２２と基板２１との間に所定距離を維持する。アレイアンテナブロック２４の面積は、反射シート２２の表面積の０．３１倍乃至０．８倍の範囲内にある。 （もっと読む）