説明

ピコデオン・リミテッド・オサケユキテュアにより出願された特許

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基板上にコーティングを作るために、基板をターゲットの近傍に配置する。連続する多数のパルスをターゲット上にフォーカスすることにより、ターゲットからコールド・アブレーションにより材料が除去され、こうして、多数の連続するプラズマ・フロントが作り出され、少なくともその一部が基板へ向かって移動する。連続する各レーザ・パルス間の時間差は、連続する多数のプラズマ・フロントに起因する成分が基板表面上に核を形成できる程度に短い。そこでは、成分の平均エネルギが、結晶構造の自発的成長を許容する。
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本発明は、一般的な水準において、材料処理の利用に適用されるような放射移送技術に関する。本発明は、放射移送の装置または改良した放射移送の装置を含む放射源の設備に関し、装置はスキャナまたは改良したスキャナを含む。本発明はまた、蒸発および/または蒸散に適する標的材料にも関する。本発明は改良したスキャナに関する。本発明は、本発明による放射源の設備を有する真空蒸発/蒸散の設備にも関する。本発明は、標的材料を被覆および/または製造する際に用いられる標的材料ユニットにも関する。
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本発明はエレメント、そのための製造方法および装置、およびそのエレメントの使用方法を開示し、そのエレメントは電流の助けによってフィルム状構造中に熱的効果を提供するための少なくとも一つのフィルム材料から形成される導電性フィルム状構造を有する。
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本発明は最大10−3気圧の空間中でレーザ蒸散が行われるレーザ蒸散方法である。真空度を低くすることで、蒸着表面の品質特性を著しく弱くすることなく表面を工業的に有利に製造することが可能となる。また、本発明は、標的材料が、最大10−3気圧の空間中でナノ粒子を生成するためにパルスレーザによって蒸散されるナノ粒子の製造方法に関する。
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本発明の主題は、レーザアブレーションにもとづくコーティング方法であって、基材とアブレーションされるターゲットとの間の距離が例外的に小さいコーティング方法に関する。この短い距離は、基材のコーティングを、工業的規模においても、好ましくは低真空あるいは非真空の雰囲気のもとですら可能にする。本発明は、あらゆる大型サイズの物体または種々の形状を有する物体の最適なコーティングに関して好ましい。
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本発明は、物体を1つ以上の表面によってコーティングするためのレーザアブレーション方法であって、コーティング対象の物体、すなわち基材を、コーティング対象の物体へと蒸着される表面の一様性が±100nmとなるように、ターゲットをアブレーションすることによってコーティングする方法に関する。コーティングされた物体の表面は、有利にはミクロンサイズの粒子が存在せず、典型的には個々の粒子のサイズが最大でも±25nmであるであるナノテクノロジー表面である。さらに、物体は、前記方法によって製造される製品に関する。
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