説明

ウクシィ サンテック パワー カンパニー リミテッドにより出願された特許

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本発明は、分割構造の太陽電池モジュール(6)用接続箱と、分割構造の接続箱を備える太陽電池モジュール(6)を提供している。当該分割構造の接続箱は、バイパスダイオード(12)及び前記導電性ストリップ(13)が設置される本体接続箱(1)と、太陽電池モジュール(6)におけるバスバーと接続される導電体が設置される補助接続箱(2)とを含み、本体接続箱(1)内の導電性ストリップ(13)は、補助接続箱(2)内の導電体と電気的に接続される。当該発明によれば、接続箱内の電子回路の故障は、該太陽電池モジュールの品質に影響を与えることなく、故障が発生した電子回路部分に対するメンテナンスも容易に行える。
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【課題】透光性領域を精確に確保することができ、透光パターンを多様に選択することが容易で、大面積の透光性薄膜太陽電池モジュールにおいて効果的に透光機能を実現することを可能とし、透光性太陽薄膜電池モジュールが短絡しやすい問題を改善する。
【解決手段】本発明は、エッチング溶液に対して耐食性を有するインクスラリーを、スクリーンの下に置かれた薄膜太陽電池モジュールの保護必要領域に印刷し、前記インクスラリーを乾燥させ固めるステップと、前記薄膜太陽電池モジュールにエッチング溶液を塗布するステップと、前記インクスラリーを除去するステップと、を含む透光性薄膜太陽電池モジュールのエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】透光性薄膜太陽電池モジュールの電気出力特性を向上させる。
【解決手段】絶縁透光性基板、及び絶縁透光性基板に順に積層された第1電極層、半導体層、第2電極層を含み、更に直列接続された複数の光電変換手段を含むセル領域と、セル領域で第2電極層と半導体層を部分的に除去することにより形成された複数の透光性四角穴を含む透光性領域と、を備える構成とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の加工方法を使用して透光性薄膜太陽電池モジュールを製造する場合に、如何なるパターンの透光性領域も形成することができ、そして生産コストが低く、大規模な量産に好適な加工方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクスを薄膜太陽電池モジュールの背電極に位置決めをして覆わせるステップと、マスクブランクスに対してサンドブラスト・エッチングを施し薄膜太陽電池モジュールに透光性領域を形成するステップと、を含むマスクブランクス補助サンドブラスト・エッチング法を使用して、透光性領域を形成することを特徴とする透光性薄膜太陽電池モジュールを製造する。 (もっと読む)


一実施形態において、物品を搬送する搬送ローラは、軸と、軸上のコイルを含む。コイルは可撓性中央部と、可撓性中央部の2つの対向する側部において軸に取り付ける第1端部及び第2端部を含む。 (もっと読む)


一体的に並置した複数の放射源(108−1、108−2、108−3、108−4)を用いてプレート(104)を照射する方法であって、一体的に並置した複数の放射源(108−1、108−2、108−3、108−4)の各々が、プレート(104)の複数の副範囲領域(110−1、110−2、110−3、110−4)のうちの1つを照射することを含む。よって、照射されるプレート(104)の副領域は、一体的に並置した複数の放射源(108−1、108−2、108−3、108−4)から比較的均一で比較的明確に特定した放射を受けることになる。装置がこの方法を実行し、この方法を用いて太陽電池を製造する。本発明の方法及び装置は、レーザドーピングやレーザ切断に適用することができる。 (もっと読む)


本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー2を用いて、処理対象である半導体基板4の下面と化学溶液槽1に収容される化学溶液5の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板4を化学溶液5の上方に放置し、噴射装置3によって半導体基板4の下面に向け化学溶液5を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液5を収容する化学溶液槽1と、半導体基板4を化学溶液5の上方に放置するためのホルダー2と、半導体基板4の下面に向け化学溶液5を噴射するための噴射装置3とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
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本発明は、太陽電池用電極の製造方法およびその電気化学的析出装置を提供している。本発明の太陽電池用電極の製造方法は、金属または金属合金の電気化学的析出プロセスを用いて太陽電池用電極を製造する方法である。本発明の方法は、光電変換効率の向上と生産コストの低減が可能であるとともに、反応時間が短く、工業廃水の処理が容易である等の利点を有する。
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多結晶シリコンのテクスチャ表面形成用酸腐食溶液及びその使用方法に関し、前記溶液は酸化剤とフッ化水素酸溶液とを混合してなるものであって、前記酸化剤は硝酸塩または亜硝酸塩である。前記使用方法は、スライスされた多結晶シリコンウェーハを酸腐食溶液の中に入れて腐食反応を行う。反応時間は30秒間〜20分間であり、酸腐食溶液の温度は−10℃〜25℃である。 (もっと読む)


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