本発明は、太陽電池または太陽電池の中間製品である、エミッタとベースとを含む半導体構造物を測定するための方法であって、
半導体構造物内にルミネセンス放射を発生させ、半導体構造物から発するルミネセンス放射の空間分解測定が行われる際に、第１の測定が第１の測定条件ａにて実施され、この測定で得られた測定データから、少なくとも第１の測定で得られた測定データに依存して、太陽電池の多数の測定点ｘｉのための、空間分解され電圧キャリブレーションされた第１の電圧画像Ｖ_ａ（ｘ_ｉ）が決定されるステップＡと、
多数の測定点ｘｉのための、空間分解された暗飽和電流ｊ_ｏ（ｘ_ｉ）と空間分解されたエミッタ層抵抗ｐ（ｘ_ｉ）と空間分解された局所直列抵抗Ｒ_Ｓ（ｘ_ｉ）の少なくとも１つに関する半導体構造物の空間分解された特性が少なくともステップＡで決定された第１の電圧画像Ｖ_ａ（ｘ_ｉ）に依存して決定されるステップＢとを備えたものに関する。
本発明は、ステップＡにおいてさらに、第１の測定条件ａとは異なる第２の測定条件ｂにて少なくとも第２の測定が実施されることで得られた少なくとも第２の測定の測定データに依存して、多数の測定点ｘｉのための、空間分解され電圧キャリブレーションされた第２の電圧画像Ｖ_ｂ（ｘ_ｉ）がステップＡで得られた測定データから決定され、
ステップＡにおいて、第１の測定と第２の測定の際、ルミネセンス放射は半導体構造物が励起電磁線で面状照射されることによって発生させられ、
第１の測定の測定条件ａと第２の測定の測定条件ｂは、励起電磁線の強度、スペクトル組成、半導体構造物に電気接点形成を経て印加される所定の外部電圧Ｖ_ｅｘｔの少なくとも１つに関して相違しており、さらに、それぞれの測定条件（ａ、ｂ）に加えて、それぞれの測定条件下にて短絡条件の存在時に流れる電流の、電圧とは無関係かつ測定点とは無関係の短絡電流密度（ｊ_Ｐ，ａ、ｊ_Ｐ，ｂ）がそれぞれ設定または測定あるいはその両方がなされ、かつ
ステップＢにおいて、各測定点ｘｉのための、空間分解された電気的特性の決定が、各測定条件に関する少なくとも短絡電流密度（ｊ_Ｐ，ａ、ｊ_Ｐ，ｂ）と、電圧に依存しかつ測定点に依存した暗電流密度（ｊ_Ｄ，ａ（ｘ_ｉ）、ｊ_Ｄ，ｂ（ｘ_ｉ））とに依存して行われ、その際、暗電流密度（ｊ_Ｄ，ａ（ｘ_ｉ）、ｊ_Ｄ，ｂ（ｘ_ｉ））は少なくとも、電圧とは無関係の暗飽和電流密度ｊ_ｏ（ｘ_ｉ）と、第１と第２の電圧画像（Ｖ_ａ（ｘ_ｉ）、Ｖ_ｂ（ｘ_ｉ））から求められる測定点ｘｉのための第１の電圧及び第２の電圧に依存していることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、測定条件ＡおよびＢ下で半導体構造物中にルミネセンス放射を発生させ、半導体構造物の所定の複数の測定点につき局所キャリブレーションパラメータＣ_Ｖ，ｉを決定し、半導体構造物の所定の複数の測定点につき局所直列抵抗Ｒ_Ｓ，ｉを決定することによって半導体構造物の直列抵抗を空間分解測定するための方法に関する。重要なのは、局所直列抵抗Ｒ_Ｓ．ｉはすべての局所直列抵抗に関して同一に設定された半導体構造物のグローバル直列抵抗Ｒ_Ｓｇに依存して決定されることである。
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本発明は太陽電池セルの金属電極パターン作製方法であって、以下のステップ− 前記太陽電池セルの表面に金属電極パターンを形成するステップと、前記金属電極パターンを電解槽中で補強するステップと − を含んでなる方法に関する。本発明は、金属含有インキが少なくとも１つの圧力ノズルによって前記太陽電池セルの前記表面に塗布されることによって前記金属電極パターンが形成される点を特徴とする。
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