【課題】バックエッチングを施した好ましくは選択的エミッタを有するシリコン太陽電池および類似の太陽電池を形成するための方法を提供する。
【解決手段】太陽電池基板２１のエミッタ面に対して２次元的に延在するエミッタ５を形成する工程と、エミッタ面の第１部分領域７上にエッチング防壁２５を処理する工程と、エッチング防壁２５によって覆われないエミッタ面の第２部分領域９においてエミッタ面をエッチングする工程と、エッチング防壁２５を除去する工程と、第１部分領域７に金属接点１７を形成する工程とを含む。上記の方法の間、特に第２部分領域においてエミッタ面をエッチングする工程の間に、多孔質シリコン層は、有利に形成されてから酸化される。 （もっと読む）

本発明は、平均粒子径が１０ｎｍ以下のダイヤモンド粒子を含有する凝集構造体からダイヤモンド粒子を得るための方法であって、前記凝集構造体をガス雰囲気下で加熱することにより当該凝集構造体から前記ダイヤモンド粒子を得る方法に関する。枢要な点は、前記凝集構造体は少なくとも８０％の割合の水素ガスを含む反応性ガスのガス雰囲気下で加熱されることである。
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【課題】
本発明の課題は、混合伝導性アルカリ土類置換コバルト酸塩で作られたセラミック部材の高温耐性結合を創り出すことができる方法を特定することであり、前記結合は、漏れることの無いメンブレン部材が用いられる際にはガス気密でなければならない。
【解決手段】
本発明は、混合伝導性酸化物セラミックスで作られた、酸化物セラミック化合物の高温耐性結合又は接合方法に関連しており、前記課題は、接合表面の少なくとも一つにCuを含有する添加剤を施し、次に荷重負荷下でセラミック部材の通常の焼結温度よりも低い２５０Kまで加熱し、当該温度で０．５〜１０時間保持する、ドーピング補助拡散反応性焼結による、アルカリ土類置換コバルト酸塩基体酸素透過性酸化物セラミックスの高温耐性結合方法によって成し遂げられる。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池または太陽電池の中間製品である、エミッタとベースとを含む半導体構造物を測定するための方法であって、
半導体構造物内にルミネセンス放射を発生させ、半導体構造物から発するルミネセンス放射の空間分解測定が行われる際に、第１の測定が第１の測定条件ａにて実施され、この測定で得られた測定データから、少なくとも第１の測定で得られた測定データに依存して、太陽電池の多数の測定点ｘｉのための、空間分解され電圧キャリブレーションされた第１の電圧画像Ｖ_ａ（ｘ_ｉ）が決定されるステップＡと、
多数の測定点ｘｉのための、空間分解された暗飽和電流ｊ_ｏ（ｘ_ｉ）と空間分解されたエミッタ層抵抗ｐ（ｘ_ｉ）と空間分解された局所直列抵抗Ｒ_Ｓ（ｘ_ｉ）の少なくとも１つに関する半導体構造物の空間分解された特性が少なくともステップＡで決定された第１の電圧画像Ｖ_ａ（ｘ_ｉ）に依存して決定されるステップＢとを備えたものに関する。
本発明は、ステップＡにおいてさらに、第１の測定条件ａとは異なる第２の測定条件ｂにて少なくとも第２の測定が実施されることで得られた少なくとも第２の測定の測定データに依存して、多数の測定点ｘｉのための、空間分解され電圧キャリブレーションされた第２の電圧画像Ｖ_ｂ（ｘ_ｉ）がステップＡで得られた測定データから決定され、
ステップＡにおいて、第１の測定と第２の測定の際、ルミネセンス放射は半導体構造物が励起電磁線で面状照射されることによって発生させられ、
第１の測定の測定条件ａと第２の測定の測定条件ｂは、励起電磁線の強度、スペクトル組成、半導体構造物に電気接点形成を経て印加される所定の外部電圧Ｖ_ｅｘｔの少なくとも１つに関して相違しており、さらに、それぞれの測定条件（ａ、ｂ）に加えて、それぞれの測定条件下にて短絡条件の存在時に流れる電流の、電圧とは無関係かつ測定点とは無関係の短絡電流密度（ｊ_Ｐ，ａ、ｊ_Ｐ，ｂ）がそれぞれ設定または測定あるいはその両方がなされ、かつ
ステップＢにおいて、各測定点ｘｉのための、空間分解された電気的特性の決定が、各測定条件に関する少なくとも短絡電流密度（ｊ_Ｐ，ａ、ｊ_Ｐ，ｂ）と、電圧に依存しかつ測定点に依存した暗電流密度（ｊ_Ｄ，ａ（ｘ_ｉ）、ｊ_Ｄ，ｂ（ｘ_ｉ））とに依存して行われ、その際、暗電流密度（ｊ_Ｄ，ａ（ｘ_ｉ）、ｊ_Ｄ，ｂ（ｘ_ｉ））は少なくとも、電圧とは無関係の暗飽和電流密度ｊ_ｏ（ｘ_ｉ）と、第１と第２の電圧画像（Ｖ_ａ（ｘ_ｉ）、Ｖ_ｂ（ｘ_ｉ））から求められる測定点ｘｉのための第１の電圧及び第２の電圧に依存していることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、測定条件ＡおよびＢ下で半導体構造物中にルミネセンス放射を発生させ、半導体構造物の所定の複数の測定点につき局所キャリブレーションパラメータＣ_Ｖ，ｉを決定し、半導体構造物の所定の複数の測定点につき局所直列抵抗Ｒ_Ｓ，ｉを決定することによって半導体構造物の直列抵抗を空間分解測定するための方法に関する。重要なのは、局所直列抵抗Ｒ_Ｓ．ｉはすべての局所直列抵抗に関して同一に設定された半導体構造物のグローバル直列抵抗Ｒ_Ｓｇに依存して決定されることである。
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本発明は、半導体層の局所接点形成および局所ドーピング方法であって、前記半導体層上に層構造を作り出すために、Ａ１．前記半導体層の片側面に少なくとも１つの中間層（９，１０，１１）を形成するステップ、Ａ２．前記ステップＡ1において最後に形成された前記中間層（１１）上に少なくとも１つの金属層を形成し、その際、前記金属層は最後に形成された前記中間層（１１）を少なくとも部分的に被覆するステップ、Ｂ．前記層構造を局所的に加熱し、局所領域に短時間にわたって少なくとも金属層（１２）と中間層（９，１０，１１）と半導体層との少なくとも各部分領域からなる溶融混合物を生成させ、前記溶融混合物の凝固後に金属層（１２）と半導体層との間に接点を作り出すステップとを含んでいる。前記ステップＡ1において、少なくとも１つの中間層がドーパントを含んだドーピング層（１０）として形成され、その際、前記ドーパントは前記金属層の金属よりも大きな半導体層中固溶限界を有する。
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本発明は太陽電池および当該太陽電池の製造方法に関する。前記太陽電池はドープした領域（２ａ，２ｂ）を有する半導体基板を含んでいる。前記半導体基板の片面には、前記ドープした領域（２ａ，２ｂ）と接続された接点部（３ｂ，３ｃ）と、重畳配置された接続部（４ａ，４ｂ）とが備えられている。前記接続部（４ａ，４ｂ）は中間に介在する絶縁被膜層（５）に設けられた孔（９）を通じて前記接点部（３ｂ，３ｃ）と接続されている。
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表面側ならびに表面側と実質的に平行をなす裏面側を有する半導体基板と、表面側金属薄膜および裏面側金属薄膜と、少なくとも２つの異なった導電型を有する少なくとも３つのドープ領域とを含んでおり、前記半導体基板の前記表面側には実質的に表面側全体を占めるように第１の導電型の第１のドープ領域が配置され、前記半導体基板の前記裏面側には裏面側の一部を占めるように、第１の導電型逆の導電型である第２の導電型の第２のドープ領域が配置され、前記裏面側には裏面側の一部を占めるように第１の導電型の第３のドープ領域が配置され、前記表面側金属薄膜は前記第１のドープ領域と導電接続され、前記裏面側金属薄膜は前記第２のドープ領域と導電接続され、前記第３のドープ領域を前記表面側金属薄膜または前記第１のドープ領域あるいはその両方と導電接続する導電接続手段を有する太陽電池に関する。 （もっと読む）

【課題】バックエッチングを施した好ましくは選択的エミッタを有するシリコン太陽電池および類似の太陽電池を形成するための方法が提案される。
【解決手段】一態様によると、上記方法は、太陽電池基板（２１）のエミッタ面に対して２次元的に延在するエミッタ（５）を形成する工程と、エミッタ面の第１部分領域（７）上にエッチング防壁（２５）を処理する工程と、エッチング防壁（２５）によって覆われないエミッタ面の第２部分領域（９）においてエミッタ面をエッチングする工程と、エッチング防壁（２５）を除去する工程と、第１部分領域（７）に金属接点（１７）を形成する工程とを含む。上記の方法の間、特に第２部分領域においてエミッタ面をエッチングする工程の間に、多孔質シリコン層は、有利に形成されてから酸化される。 （もっと読む）

本発明は半導体基板上にパターン材料からなる所定のパターンを形成するための方法であって、以下の工程、半導体基板の表面をマスキング層で部分的に被覆する工程Ａと、マスキング層上ならびに前記マスキング層から除外された領域の半導体基板の表面上にパターン材料からなる膜を形成する工程Ｂと、マスキング層を前記マスキング層上に形成された前記パターン材料と共に除去する工程Ｃとを含む方法に関する。本発明の方法に重要な点は、工程Ｂと工程Ｃの間の工程Ｂ２においてパターン材料からなる膜が部分的に除去されることである。
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