本発明は、自然一方向性を有する音響表面波用変換器に関しており、
ここではインターデジタル電極構造体が圧電結晶基板に配置されており、この電極構造体は、集電電極および櫛歯からなるインターデジタル変換器によって形成されており、
これらの櫛歯のうちの少なくとも２つの櫛歯は、変換器セルを構成し、これらの変換器セルは、電位の波を励起する少なくとも１つの励起中心部と、電位の波反射する反射中心部とを有している。本発明の課題は、自然一方向性を有する変換器に対し、帯域の広い変換器の場合であっても挿入減衰が小さい材料、材料断面および伝搬方向を見つけることであり、またこの変換器の一方向特性にもかかわらず周波数位置が、基板上で電極構造体を配向する際の誤差によって影響を受けないかまたはわずかにしか影響を受けないようにすることである。本発明の重要な１特徴的構成によれば、上記の櫛歯は、向きＲに対して垂直に配向されており、ここで向きＲは、基板結晶の１回回転軸または３回回転軸に対して平行であり、またＲに対して微分ｄｖ/ｄθ＝０が成り立ち、ただしｖは表面波の位相速度であり、θは櫛歯方向に対する垂直線と、上記の向きＲとの角度偏差である。本発明の別の１特徴的構成によれば、上記の電極材料およびその層厚を選択して、各変換器セルにおける励起中心部と反射中心部との間の位相シフトΦ_sが、式sin²(Φ_s)=(ω_o2-ω_s2)(ω_s2-ω_s1)/(ω_s2-ω_s1)(ω_o1+ω_o2-ω_s1-ω_s2)により、41.4°と48.6°との間か、-48.6°と-41.4°との間か、131.4°と138.6°との間か、または-138.6°と-131.4°との間にあるようにする。本発明による変換器は、機能の仕方が音響表面に基づくものであれば、例えばセンサ、識別素子（IDタグ）、共振器、フィルタ、遅延線路および発振器などに適用可能である。 （もっと読む）

本発明は２つの表面波シングルゲートレゾネータと活性の電子回路との接続体から成る発振器回路に関する。２つのレゾネータは並列に接続されても直列に接続されてもよいが、高周波数の反共振または高周波数の共振が発生するようにする。ここで、例えばレゾネータに直列または並列に接続された個々のキャパシタンスが用いられ、インダクタンス素子が必要ない。各レゾネータはインターディジタルトランスデューサを含む。各インターディジタルトランスデューサのアパーチャ、フィンガ数、電極層の厚さなどの特性および伝搬方向は、接続体の温度‐位相特性の変化が他の素子の温度‐位相特性の異なる符号にともなって生じるように選定される。これは電子回路の負の差動抵抗の値を選定することによっても達成される。
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