荷電粒子ビームリソグラフィを用いる半導体生産分野において、複数の露光経路を用いた、フラクチャリングもしくはマスクデータ作成、または近接効果補正のための方法およびシステムを開示する。一実施形態では、複数の露光経路に用いるベース線量は互いに異なる。別の実施形態では、露光経路の１つからのショットの集合と、異なる露光経路からのショットの集合とは異なる。さらなる実施形態では、複数の露光経路に用いる前記ベース線量レベルの合計は標準線量とは異なる。レチクルおよび集積回路を製造する類似の方法もまた開示される。
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成形荷電粒子ビームリソグラフィを用いた半導体生産の分野では、トラックを形成する単一の拡張ショットにおいて表面を横切る荷電粒子ビーム（１４０）を引き込むことにより、表面（１３０）にパターンを形成する。いくつかの実施形態では、トラックは直線パス、湾曲パス、または曲線形状の外周（８５０，８５２，８５４，８５６，８５８，８６０，８６２）を形成できる。他の実施形態では、引き込まれたビーム（１４０）の速度を変化させることにより、トラックの幅を変更できる。この技術は集積回路を製造するために利用され、パターンをウェハに転写するために、レジスト被覆されたウェハを横切る荷電粒子ビームを引き込むか、後に光リソグラフィプロセスを用いてパターンをウェハに転写するのに用いられるフォトマスクを製造するために用いられるレチクルを横切る荷電粒子ビームを引き込む。
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成形荷電粒子ビームリソグラフィを用いる半導体生産分野において、フラクチャリングもしくはマスクデータ作成、または近接効果補正のための方法およびシステムが開示され、成形荷電粒子ビーム書込装置において決定されたショットは、ショット中に表面を横切る荷電粒子ビームを引き込み、単一の拡張ショットで複雑なパターンを形成する。引き込みは、可変成形ビーム（ＶＳＢ）またはキャラクタプロジェクション（ＣＰ）ショットのいずれかにより達成され得る。ショットのデータにおいて引き込みショットのパスを特定する方法も開示される。他の実施形態は、局部投影において引き込みショットを用いて、ショット中の引き込み速度を変化させて、引き込みショットと従来のショットとを組み合わせることを含む。引き込みショットを含むグリフを作成するための方法およびシステムも開示される。
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【課題】成形荷電粒子ビームリソグラフィを用いる半導体生産分野において、フラクチャリング、またはマスクデータ作成、または近接効果補正のための方法および装置を提供する。
【解決手段】連続した曲線キャラクタプロジェクションショットが、当該ショットのセットによって幅が変化し得る連続的なトラックを表面上に形成可能であるように、荷電粒子ビーム書込装置に対して設定される。連続した曲線キャラクタプロジェクションショットを用いて表面上に連続的なトラックを形成するための方法も開示される。連続した曲線キャラクタプロジェクションショットを用いて表面上に連続的なトラックを形成することによるレチクル製造方法、およびシリコンウェハなどの基板製造方法も開示される。 （もっと読む）

ビームぼけ半径を有する荷電粒子ビームの発生器を含む荷電粒子ビーム書込装置であって、ビームぼけ半径はショット毎に、またはショットの２つ以上のグループ同士の間で変更され得る装置が開示される。計算された荷電粒子ビーム書込ショットの各々にビームぼけ半径変更を割当てるステップを含む、フラクチャリングまたはマスクデータ準備または光学近接効果補正のための方法も開示される。荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎にビームぼけ半径を変更するステップとを含む、表面にパターンを形成するための方法も開示される。レチクル上にパターンを形成するために荷電子粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に荷電粒子ビーム書込装置のビームぼけ半径を変更するステップとを含む、光リソグラフィを用いた集積回路の製造方法も開示される。
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ショット毎に倍率を変更可能な可変倍率縮小レンズを含む、キャラクタプロジェクション荷電粒子ビーム書込装置が開示される。計算された荷電粒子ビーム書込ショットの各々に倍率を割当てるステップを含む、フラクチャリングまたはマスクデータ準備または光学近接効果補正のための方法も開示される。荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に倍率を変更するステップとを含む、表面にパターンを形成するための方法も開示される。レチクル上にパターンを形成するために荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に荷電粒子ビーム書込装置の倍率を変更するステップとを含む、光リソグラフィを用いて集積回路を製造するための方法も開示される。
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【課題】フォトマスクおよび光リソグラフィを用いて半導体装置を製造するための方法を開示する。
【解決手段】荷電粒子ビーム書込装置を用いて製造されたフォトマスク上の円形パターンを用いることにより、半導体ウェハ上の円形パターンが形成される。一実施例では、荷電粒子ビーム線量を変えることにより、さまざまなサイズの円形パターンが、単一の文字投影（ＣＰ）用文字を用いてフォトマスク上に形成されている。円形のＣＰ用文字をさまざまな放射線量で用いて、またはＶＳＢショットを用いて円形パターンを断片化するための方法および表面上に円形パターンを形成するための方法も開示され、複数のＶＳＢショットの結合は１セットの所望のパターンとは異なっている。グリフを作成するための方法も開示され、１つ以上の荷電粒子ビームショットから生じる放射線量マップが予め計算されている。 （もっと読む）

レチクルの設計および製造における、重なり合わない可変整形ビーム（variable shaped beam：ＶＳＢ）を用いるための方法が開示され、複数のショットの集合体は所望パターンから逸脱する。レチクル上に形成されるべき所望パターンのフラクチャリング、マスクデータ準備、または近接効果補正のため、荷電粒子ビームリソグラフィを用いてレチクル上にパターンを形成するため、および所望パターンの光近接効果補正（optical proximity correction：ＯＰＣ）のための方法が記載される。ショットのドーズは、互いに対して変化することが可能とされ得る。複数のショットは、複数のショットから計算される表面上のパターンが、所望パターンの予め定められた許容範囲内であるように決定され得る。いくつかの実施形態においては、ショット数を最小化するために最適化技術が用いられ得る。
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複数のわずかに異なるパターンを有する表面を製造するための方法およびシステムが開示される。方法は、表面にパターンを形成するためのキャラクタの集合を有するステンシルマスクを用いて、キャラクタ変更技術の使用によってショット数または全描画時間を削減することを備える。フラクチャリング、マスクデータ準備、または近接効果補正のそのような方法の適用がまた開示される。基板上のパターンのデザインの光近接効果補正のための方法もまた開示され、基板のための所望のパターンを入力することを備え、そのいくつかは複雑なキャラクタであり、表面にパターンを形成するために用いられ得る。グリフを作成するための方法もまた開示される。
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半導体装置製造の分野において、二次元ドーズマップを用いた表面の製造のための方法が開示される。表面上のイメージを作製するための荷電粒子ビームショットの集合が、複数のショットに対するドーズマップを表面のためのドーズマップと組合せることによって決定される。同様の方法が、レチクルイメージのフラクチャリングまたはマスクデータ準備のために開示される。グリフを作製するための方法もまた開示され、その方法では１以上のショットの二次元ドーズマップが計算され、ショットのリストおよび計算されたドーズマップが後での参照のために記憶される。
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