【課題】ロードボード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の表面、第２の表面、及び第１の表面と第２の表面とを連通する少なくとも１つの貫通孔を有する半導体基板を用意する工程と、第１の表面、第２の表面及び貫通孔の内壁に電気めっき高分子層を電気めっきする工程と、電気めっき高分子層に、第１の表面から貫通孔の内壁を経由して第２の表面まで延在した回路層を形成する工程とを備える。さらに、ロードボードの絶縁層、即ち電気めっき高分子層を電気めっきにより形成するため、製造コストを効果的に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】チップパッケージとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施例は、チップパッケージの製造方法を提供する。複数のスクライブラインにより隔てられる複数のデバイス領域を有する半導体ウェハを提供する工程と、パッケージ基板を半導体ウェハに接合し、スペーサ層をパッケージ基板と半導体ウェハの間に設置して、スペーサ層は、それぞれデバイス領域を露出する複数のキャビティを区画し、半導体ウェハの外縁に隣接する複数の貫通孔を有する工程と、貫通孔中に、接着材料を充填し、スペーサ層は粘性を有し、材料は接着材料と異なる工程と、スクライブラインに沿って半導体ウェハ、パッケージ基板とスペーサ層をダイスして、互いに分離した複数のチップパッケージを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】異なる構造や特性を持つ電子要素の要求に合致する新規なインターポーザとその形成方法を提供する。
【解決手段】インターポーザは、第１面及び第２面を有する基板と、第１面から第２面に延出する第１ホールと、第１面から第２面に延出し、幅が第１ホールと異なる第２ホールと、基板上に位置し、第１ホールの側壁と第２ホールの側壁上に延出する絶縁層と、基板上の絶縁層に位置し、第１ホールの側壁上に延出する導電層と、を含み、第２ホール中には導電層を持たない。 （もっと読む）

【課題】 チップパッケージの信頼性及び構造安定性を提供する。
【解決手段】 第１表面と第２表面を有する基板、前記基板の前記第１表面上に位置された導電パッド構造、前記基板の前記第１表面と前記導電パッド構造上に位置され、前記導電パッド構造の一部を露出する開口を有する誘電体層、及び前記誘電体層上に位置され、前記開口内に充填されるキャップ層を含むチップパッケージ。 （もっと読む）

本発明は、デバイス領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に配置されたパッケージ層と、前記半導体基板と前記パッケージ層との間に配置され、前記デバイス領域を囲む間隔層と、前記間隔層内に形成された中空パターン、前記間隔層と前記デバイス領域との間に配置された実体パターン、または、それらの組み合わせを含む補助パターンと、を含むチップパッケージである。
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【課題】
電子装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
電子装置は、ガラス基板と、少なくとも一つの開口を有し、ガラス基板上に設置されるパターン化半導体基板と、第一導電層と第二導電層を有し、第一導電層が、パターン化半導体基板とガラス基板間に設置される少なくとも一つの受動素子と、からなる。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりも簡略化した電子デバイスパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップは第１基板１００を有する。支持ブリック１０１ａは第１基板と既定距離が隔てられている。接合パッド１０４は第１基板から支持ブリックにわたる表面を有する。第１基板は、第１表面と第１表面と向かい合う第２表面とを有する。感光素子１０２は、第１基板の第１表面上に形成される。第２基板１１２は、第１基板の第２表面と接合され、上パッケージ層１２０と下パッケージ層１３０とは、第１基板の第１表面と第２基板とをそれぞれ覆う。導電体配線層１３６は、下パッケージ層の下に形成されている。さらに導電体配線層は、接合パッドと支持ブリックの側面上まで延設されている。導電体配線層は、接合パッドに電気的に接続されている。また、導電体バンプ１４０は、下パッケージ層の下に形成されており、導電体配線層に電気的に接続されている。 （もっと読む）