【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶性インゴットのアンモノサーマル成長のための方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を形成する方法であって、（ａ）実質的に酸素と水とを含まない鉱化剤をアンモノサーマル成長反応器１の反応チャンバーに提供することと、（ｂ）該チャンバーを排気することと、（ｃ）該ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させる前に、バックエッチングされたシード結晶性材料１１を提供することと、（ｄ）該チャンバー内で該ＩＩＩ族窒化物結晶性材料を成長させることとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供すること。
【解決手段】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶を装填し、強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填するステップと、アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分に最小に曝露される態様で、高圧ベッセル内に鉱化剤を装填するステップと、高圧ベッセルを密封するステップと、高圧ベッセルを１×１０^−５ミリバールより低い圧力までポンプするステップと、高圧ベッセルをアンモニアで充填するステップと、結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけるステップと、に記載された温度条件を、結晶を成長させるのに十分長い間、維持するステップと、アンモニアを放出して結晶成長を停止させるステップと、高圧ベッセルを密封解除するステップとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶性インゴットのアンモノサーマル成長のための反応器を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶性インゴットのアンモノサーマル成長のための反応器１であって、（ａ）チャンバーを画定する本体と、（ｂ）該反応器の端部を密封する第一のクランプ４であって、該第一のクランプ４は、該クランプ４の半径方向のグレインフローを有する金属または合金から形成される、第一のクランプ４とを備える、反応器１。この反応器の第二の端部を密封する第二のクランプをさらに備え得る。 （もっと読む）

本発明は、高品質のＩＩＩ族−窒化物ウェハーを作製する方法を開示し、この方法は、最初の欠陥がある種晶から熱アンモニア成長法により生成されるインゴットの結晶の性質において、改善をもたらす。湾曲した種結晶上で生成されるインゴットの、注意深く選ばれた領域から次の種晶を得ることにより、次のインゴットの結晶の性質は改善され得る。具体的には、上記の次の種晶は、クラックの入ったインゴット上の応力緩和の区画または注意深く選ばれたＮ−極圧縮区画から選ばれるとき、最適化される。この種晶がスライスされるとき、３°〜１０°のミスカットが引き続く成長の構造の質の改善に役立つ。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットあるいは、ウエハのような断片を製造する方法を開示する。アンモサーマル法によるウエハ成長における着色問題を解決するために、本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットのアンモサーマル法による成長、インゴットのウエハへのスライス、ウエハの解離あるいは分解を避ける方法によるウエハのアニールからなる。このアニールプロセスは、ウエハの透明度を改善する、および／またはウエハから汚染を除去するのに効果的である。
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