説明

株式会社エスアンドエス テックにより出願された特許

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【課題】 ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスクを提供する。
【解決手段】 窒素及び炭素の含有量を適切に制御して、ハードフィルムを形成することで、エッチング時に発生するCD偏差を減らし、遮光膜の金属成分が高く、反射防止膜の金属成分が低い金属膜を形成することによって、その厚さを低めて、解像度及びパターン正確度を向上させ、耐化学特性を改善することができる。また、金属膜とハードフィルムとの反射率差が大きくなるように、金属膜とハードフィルムとを形成することで、ハードフィルムの検査を容易に行える。これにより、本発明によるハードマスク用のブランクマスクを、DRAM、フラッシュメモリ、MPUなどに、ハーフピッチ32nm以下、特に、22nm以下の最小線幅の具現が可能になるように適用しうる。 (もっと読む)


【課題】 フラットパネルディスプレイの製造に利用されるブランクマスク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】 透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して160゜ないし200゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。これにより、等倍露光装置を利用してフラットパネルディスプレイ(FPD)デバイスを製造するに当って高い解像度を表すことができ、特に、複数の露光光を利用する等倍露光装置に好適である。 (もっと読む)


【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】 ハーフトーン型位相反転ブランクマスク、ハーフトーン型位相反転フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、位相反転膜、金属膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるハーフトーン型位相反転ブランクマスク。ここで、位相反転膜は、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、位相反転膜に厚さ方向に相異なる組成比を持たせることによって、位相反転膜の接着力、パーチクル、ピンホール、耐化学性、耐露光性、残留応力、面抵抗特性の優秀なハーフトーン型位相反転ブランクマスクの製造ができる。 (もっと読む)


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