説明

シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングにより出願された特許

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本発明は、シリコン、特に高純度シリコンの製造方法に関し、(1)シリコン含有粉末、特にシリコンブロックのワイヤーによる切断に由来する粉末、が用意され;(2)シリコン含有粉末はガス流に供給され、ここで、ガスは、金属シリコン粒子を固体状態から液体および/またはガス状態に転換するのに十分に高い温度を有する;(3)シリコン蒸気は任意に凝縮され、液体シリコンは捕集され;ならびに(4)捕集された液体シリコンは、好ましくは鋳型内で、冷却される。 (もっと読む)


【課題】トリクロロシラン(SiHCl)を接触的に不均化することによりモノシラン(SiH)を製造するための設備および方法を提供する。
【解決手段】トリクロロシランが触媒と接触して反応塔(100)中で変換され、次いで精留塔(109)中で精製され、反応塔(100)中の反応および蒸留の反応領域(104、105)と精留塔(109)との間に、反応塔(100)からのモノシラン含有反応生成物が部分的に凝縮される1つ以上のコンデンサー(103)が配置され、このコンデンサー(103)のどれもが−40℃より高い温度で操作される、前記設備および前記設備を用いる方法。 (もっと読む)


【課題】トリクロロシランを製造するための方法および設備を提供する。
【解決手段】流動床反応器(101)中でシリコン粒子が四塩化ケイ素および水素および任意に塩化水素と反応されてトリクロロシラン含有生成物ガス流を形成し、トリクロロシラン含有生成物ガス流が出口(117)とその前にある特定の最大粒径以下のシリコン粒子のみが選択的通過することができる少なくとも1つの粒子分離機(118)備えている流動床反応器(101)からら排出され、そしてシリコン粒子が粒子分離機なしに、少なくとも1つのさらなる出口(109、112)を通って一定の間隔で又は連続的に反応器(101)から排出されることを特徴とする、前記方法、およびそのような方法を実施するのに適した第1の反応器(101)から排出されたシリコンが第2の反応器(102)に移され得るように接続されている第1の反応器(101)および第2の反応器(102)を有する、設備。 (もっと読む)


本発明は、モノシランを製造するためのシステムであって、トリクロロシランのための供給ライン(101)及び生成する四塩化ケイ素のための排出ライン(102)を有する反応カラム(100)と、製造されたモノシランを前記反応カラムから取り出すことができる少なくとも1つの凝縮器(103)とを備え、前記反応カラムが、異なる温度で運転されかつ異なる触媒活性固形物を含む少なくとも2つの反応/蒸留反応領域(104、105)を含むシステムに関する。さらに、トリクロロシランの接触不均化によってモノシランを製造するための方法であって、前記不均化が、異なる温度で運転されかつ異なる触媒活性固形物を含む少なくとも2つの反応/蒸留反応領域(104、105)において実施される方法が記載される。
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多結晶ケイ素を生成するための反応器(10)が開示され、この反応器は、そこに形成された多数のノズル(4)を有する反応器のベースプレート(2)を提供されている。ケイ素含有ガスは、ノズル(4)を通って流れる。複数のフィラメントロッド(6)は、同じように反応器のベースプレート(2)上に取り付けられている。さらに、使用済みのケイ素含有ガスを、濃縮および/または処理ステージに供給するためのガスの出口開口(8)が提供されている。ガスの出口開口(8)は、内部管(20)の自由終端(21)に形成され、内部管(20)が反応器のベースプレート(2)を通って導入されている。 (もっと読む)


シリコン化合物の熱分解により高純度のシリコンを製造する方法であって、シリコン化合物は、シリコン化合物が熱分解する温度にあるキャリアガスと混合して熱分解される方法が記載される。さらに、その方法を行うための反応器及びプラントが記載される。 (もっと読む)


【課題】高純度シリコンを製造するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】(1)トリクロロシランの生成、(2)区分(1)で生成されたトリクロロシランの不均化によるモノシランの生成、および(3)このようにして生成されたモノシランの熱的分解の区分を有し、その際、 区分(1)で、トリクロロシランの生成のためにシリコンは少なくとも1つの塩化水素処理工程において塩化水素と反応され且つ、それに同時に、区分(2)で副生成物として形成している四塩化ケイ素がシリコンおよび水素と反応される高純度シリコンの製造方法、およびトリクロロシランの生成のための生成装置(1)、モノシランを生成するためのさらなる装置(2)および生成されたモノシランの熱的分解のための装置(3)を有する高純度シリコンの製造設備であって、装置(1)が少なくとも1つの塩化水素処理反応器、少なくとも1つの変換反応器、トリクロロシラン含有反応混合物のための少なくとも1つの回収容器および少なくとも1つの分離装置を有し、装置(2)が少なくとも1つの不均化反応器および少なくとも1つの分離装置を有し、且つ装置(3)がモノシランのための少なくとも1つの分解反応器を有し、装置(2)が、装置(2)において形成している四塩化ケイ素が装置(1)における少なくとも1つの変換反応器に供給され得る方法により少なくとも1つの戻り配管によって装置(1)に接続されている、前記設備。 (もっと読む)


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