【課題】駆動電子素子作製プロセスや使用される基板の型に依存しないマイクロマシンデバイスを低いプロセス温度で製造する方法を提供する。
【解決手段】マイクロマシンデバイスの製造方法が開示され、この方法はアモルファス半導体材料の構造層１０１を形成する工程と、構造層１０１中に、第１領域１１１と第２領域１１２を規定する工程と、第１領域１１１の上に、第２領域１１２が露出された状態になるようシールド層を形成する工程と、構造層１０１の第２領域１１２を、第１フルーエンスのパルスレーザーを用いてアニールする工程と、その後に、シールド層を除去する工程と、構造層１０１の第１領域１１１および第２領域１１２を、第１フルーエンスより実質的に小さい第２フルーエンスを用いてアニールする工程とを含む。 （もっと読む）