本発明は、単結晶冷却装置およびこれを含む単結晶成長装置に関する。本発明の単結晶冷却装置は、冷却部本体と、前記冷却部本体の内壁と外壁に冷却物質が移動できる通路とを含む単結晶冷却装置において、前記単結晶冷却装置は円筒形状であり、前記単結晶冷却装置の第１内径Ｒ１は、前記単結晶冷却装置が適用されて成長する単結晶の内径Ｒ２の１.５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施例は、窒化ガリウム基板の製造方法に関する。
【解決手段】実施例による窒化ガリウム基板の製造方法は、基板上にエッチング防止層を形成するステップと、前記エッチング防止層上に第１窒化ガリウム層を形成するステップと、シラン（ｓｉｌａｎｅ）ガスで前記第１窒化ガリウム層を一部エッチングするステップと、前記エッチングされた第１窒化ガリウム層上に第２窒化ガリウム層を形成するステップと、前記第２窒化ガリウム層上に第３窒化ガリウム層を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

本発明は、ウェハアンロードシステムおよびこれを含むウェハ加工装置に関する。本発明のウェハアンロードシステムは、流体を供給する流体供給管と、前記供給された流体を噴射するノズルと、前記噴射された流体が研磨パッドとウェハの間に到達できるようにする、定盤に備えられた噴射口と、を含む。 （もっと読む）

ウェハ研磨装置が開示される。ウェハ研磨装置は、ウェハ上に配置され、前記ウェハが延長される方向に延長される第１研磨ローラと、前記ウェハ下に配置され、前記ウェハが延長される方向に延長される第２研磨ローラと、を含む。ウェハ研磨装置は、ローラを使用してウェハを研磨する。よって、ウェハ研磨装置は、大面積のウェハを容易に研磨することができる。 （もっと読む）

本発明は、単結晶成長装置の断熱装置およびこれを含む単結晶成長装置に関するものである。本発明の単結晶成長装置の断熱装置は、単結晶成長装置のチャンバー内に設置される断熱装置において、前記断熱装置は、第１距離に離隔されて形成される複数の断熱ブロックを含む。 （もっと読む）

本発明は、窒化物半導体素子の製造方法に関する。本発明の窒化物半導体素子の製造方法は、第１支持基板上に窒化ガリウムエピ層を形成する段階と、前記窒化ガリウムエピ層上に第２支持基板を形成する段階と、前記第１支持基板を除いた残りの領域の表面にパッシベーション層を形成する段階と、前記パッシベーション層をマスクとして前記第１支持基板をエッチングする段階と、前記パッシベーション層を除去して前記第２支持基板および前記窒化ガリウムエピ層を露出させる段階とを含む。 （もっと読む）

本発明は、石英ルツボおよびその製造方法に関する。本発明による石英ルツボは、単結晶成長装置に使用される石英ルツボであって、シリカからなる内部層と、窒素が添加されたシリカからなり、前記内部層の外側に位置して前記内部層を取囲む外部層と、を含む。 （もっと読む）

半導体素子、発光素子及びこれの製造方法が開示される。半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される多数個の柱と、前記柱の間及び前記基板上に配置される多数個の粒子と、前記柱上に配置される第１半導体層と、を含む。また、半導体素子の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板上に多数個の第１粒子を配置する段階と、前記第１粒子をエッチングマスクとして前記基板の一部をエッチングし、多数個の柱を形成する段階と、を含む。半導体素子は、粒子によって、発生される光を上方に効率的に反射させ、これによって向上された光効率を有する。また、第１粒子によって。柱が容易に形成され得る。
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【課題】半導体素子、発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される複数個の柱と、前記基板上に前記柱の間に配置される金属層と、前記柱の上及び間に配置される半導体層と、を含む。半導体素子は、金属層によって、電気的及び光学的特性を向上することができる。 （もっと読む）