本発明は下記化学式１のゲルマニウム化合物に関する。
［化学式１］



前記化学式１中、Ｙ^１及びＹ^２は、互いに独立して、Ｒ^３、ＮＲ^４Ｒ^５またはＯＲ^６から選ばれ、前記Ｒ^１〜Ｒ^６は、互いに独立して、（Ｃ_１−Ｃ_７）アルキル基である。
また、本発明によるアミジン誘導体を含むゲルマニウム化合物は、熱安定性を有するとともに揮発性が高く、ハロゲン成分を含有しないため、有機金属化学気相蒸着法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ）または原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）によって低温蒸着が可能なゲルマニウム及びゲルマニウムを含む良質の薄膜製造に有用である。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置などの平板ディスプレイ表示装置の薄膜トランジスタ製造工程において、微細パターンに形成された透明伝導膜のエッチング溶液組成物に関する。
本発明は、含ハロゲン化合物０．０５〜１５重量％、補助酸化剤０．１〜２０重量％、エッチング調節剤０．０５〜１５重量％、残渣抑制剤０．１〜１５重量％、腐食抑制剤０．３〜１０重量％及び全体組成物の総重量が１００重量％になるようにする水で構成され、銅膜、銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象が発生しないようにする透明伝導膜エッチング組成物に関する。
本発明の透明伝導膜エッチング組成物は腐食抑制剤と経時変化抑制剤を含む水溶液であり、従来の透明伝導膜エッチング組成物で発生する側面エッチング現象、経時変化現象、エッチング時の残渣発生現象、銅膜、銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象などの欠点を完全に解消することができる。特に本発明は、従来の透明伝導膜エッチング組成物の主要問題点であるエッチング時の残渣発生現象と銅膜、銅膜銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象を解消するため、透明伝導膜の選択的パターンエッチングが可能である。
また、本発明による透明伝導膜エッチング組成物は適切なエッチング速度及び適切な傾斜角を提供することができ、蒸発量を顕著に減少させてエッチング組成物の成分量の変動を減少させ、それによるヒューム（ｆｕｍｅ）発生量を減らすことにより、大気環境汚染を防止することができる長所を有している。 （もっと読む）