いくつかの実施例は、半導体デバイスを提供する方法を含む。当該方法は、
（ａ）フレキシブル基板を提供する段階、（ｂ）フレキシブル基板上に少なくとも１つの材料層を堆積させる段階であって、そのフレキシブル基板上の少なくとも１つの材料層の堆積は、少なくとも１８０℃の温度で生じる、段階、および（ｃ）金属層とａ−Ｓｉ層との間に拡散バリアを提供する段階を含む。他の実施例も本願において開示される。
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いくつかの実施例は、フレキシブル基板アセンブリを準備する方法を教示する。本方法は、（ａ）キャリア基板を提供する段階、（ｂ）架橋型接着剤を提供する段階、（ｃ）プラスチック基板を提供する段階、および、（ｄ）架橋型接着剤を使用してキャリア基板をプラスチック基板に結合する段階を含む。本願では他の実施例も開示される。
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