メタローテクノロジーズジャパン株式会社により出願された特許

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【課題】基板電極との電極接合に適するバンプ硬度とバンプ形状とを備えた金バンプ形成用の非シアン系電解金めっき浴、及び該金めっき浴を用いた金バンプ形成方法を提供する。
【解決手段】亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、伝導塩と、結晶安定化剤と、結晶調整剤と、緩衝剤と、光沢化剤とを含有し、亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの含有量は、金濃度として1〜20g/Lであり、伝導塩は亜硫酸ナトリウムであって、その含有量が5〜150g/Lであり、光沢化剤の含有量は、0.5〜100mmol/Lである、ことを特徴とする金バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。前記光沢化剤は、スルホキシド及び/又はスルホンから選択される1種又は2種以上の化合物が好ましい。 (もっと読む)


【課題】極めて簡単な方法によって、センサ特性の向上と、多孔質保護層の強度の確保とを両立させることができるガスセンサ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガスセンサ素子の製造方法にいては、セラミックス塗布工程として、ガスセンサ素子のガス検知先端部に、セラミックス粒子を水に含有させてなるセラミックススラリーを塗布し、第1乾燥工程として、セラミックススラリーを乾燥させてセラミックス層を形成する。次いで、バインダ含浸工程として、セラミックス層に、バインダを水に含有させてなるバインダスラリーを含浸させ、第2乾燥工程として、バインダスラリーを乾燥させて、バインダが含まれるセラミックス層を形成する。その後、熱処理工程として、セラミックス層を熱処理して多孔質保護層を形成する。 (もっと読む)


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