量子回路を複数のサブ回路に分解することを通して、量子カルノー図を決定するための技法と、量子カルノー図を決定するように構成されたコンピューティングデバイスが提供される。また、量子カルノー図に対応する可能な量子回路の中で最小数のゲートを含む量子回路を獲得するための技法と、獲得するように構成されたコンピューティングデバイスも提供される。
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結合非対称量子閉じ込め構造（３００）は、量子井戸または量子ドットのような、第１の量子閉じ込め構造（３０２）および第２の量子閉じ込め構造（３２２）を含み、第１および第２の構造は、幅（３２０、３２４）のような少なくとも１つの物理的な寸法が異なり、連続して結合される。結合された構造（３００）は、光信号の遅延および／または周波数に影響を与えることができ、フォトニック集積回路のコンポーネントとして使用されうる。第１および第２の構造（３２０、３２２）は、共通の基板（３１１）上に形成されうる。 （もっと読む）

１つまたは複数の銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料障壁層を含んだ半導体発光デバイスのための実装形態および技法が概ね開示される。 （もっと読む）

発光層および発光層と接触する少なくとも１つの表面プラズモン金属層を含む半導体デバイスが提供される。発光層は、第１のバンドギャップを有する活性層、第２のバンドギャップを有する１つまたは複数の障壁層を含む。第１のバンドギャップは第２のバンドギャップよりも小さい。半導体デバイスの製造方法も提供される。
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【課題】長波長放射を検出することができる装置を提供する。
【解決手段】
長波長放射を検出することができる光検出器であって、絶縁層の近位端上に配置されたソースと、絶縁層の遠位端上に配置されたドレインと、近位端と遠位端との間でソース及びドレインを結合する少なくとも１つのナノアセンブリと、ソースとドレインとの間に配置され、少なくとも１つのナノアセンブリの長手方向に少なくとも１つのナノアセンブリと並置された少なくとも２つの表面プラズモン導波路とを備え、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの一方は、少なくとも１つのナノアセンブリの第１の側に沿って配置され、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの他方は、第１の側に対向する少なくとも１つのナノアセンブリの第２の側に沿って配置される長波長放射を検出することができる光検出器を実現する。 （もっと読む）

デジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）は、複数の入力信号に応答して複数の第１の光信号を生成するための複数の電光変換器と、第１の光信号の強度を減衰させ、複数の第２の光信号を生成するための複数の光減衰器と、第２の光信号を組み合わせ、第３の光信号を生成するための光学カプラと、第３の光信号を電気的アナログ信号に変換するための光検出器とを含む。
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【課題】
【解決手段】量子井戸検出器の実装を提示する。一実施形態では、量子構造は、第１の障壁層、第１の障壁層上に配置される井戸層、および井戸層上に配置される第２の障壁層を備える。金属層は、この量子構造に隣接して配置される。表面プラズモン共鳴による結合を利用して光検出器の効率を高める本発明の実施形態が説明されている。いくつかの実施形態は、電磁スペクトルのＵＶまたは青色部分に適している。 （もっと読む）