【課題】複数の火炎ツールを用いて高精度な火炎加工（表面仕上げ加工）を能率的に行い、供給量を増やすことが出来るようにしたリング状石英ガラス治具の火炎加工装置及び火炎加工方法を提供する。
【解決手段】回転可能に設けられたワーク載置台２４と、該ワーク載置台に載置固定されるリング状石英ガラス治具２６と、該リング状石英ガラス治具の外面側に火炎を吹付けるように等間隔に設置された複数個の外側ガスバーナ４６と、該リング状石英ガラス治具の内面側に火炎を吹付けかつ該外側ガスバーナと対応するように等間隔に設置された複数個の内側ガスバーナ４０と、該外側ガスバーナと内側ガスバーナを保持するガスバーナ保持手段と、該ガスバーナ保持手段を上下動させるガスバーナ移動手段と、を有し、水平方向火炎加工を順次上下方向に行い、該リング状石英ガラス治具の内面及び外面の全面を火炎加工するようにした。 （もっと読む）

【課題】石英ガラス治具等の石英ガラス加工品に対して、表層クリーン度を向上させる純化処理装置及びその装置を用いた純化処理方法を提供する。
【解決手段】筐体と、
該筐体内部に設けられた円筒状の石英ガラス製純化処理容器と、
前記純化処理容器の外方に設けられかつ前記純化処理容器内部を加熱してヒートゾーンを形成する作用を行うヒーターと、
石英ガラス加工品格納及び取り出し用の底部開口部と、
前記底部開口部を密封状態で閉塞する閉塞手段と、
石英ガラス加工品を上下動可能な状態で保持する保持手段と、
前記純化処理容器の下端部に設けられかつ前記純化処理容器内にガスを導入するためのガス導入部と、
純化処理容器内のガスを前記筐体の外部に排気するためのガス排気通路と、を含み、
前記保持手段に保持された石英ガラス加工品を前記純化処理容器内で純化処理することができるようにした。 （もっと読む）

【課題】使用時に半導体素子を汚染するパーティクルの発生がなく、かつ使用を重ねても処理条件を変動することがないシリカガラス治具を提供する。
【解決手段】半導体を製造する工程で使用するシリカガラス治具において、その表面の一部又は全部に中心線平均粗さＲａが０．１〜２０μｍの凹凸が存在し、前記凹凸が、大柄な波状の凹凸とその表面に存在する微細な浅いお椀状の凹部とからなる多層構造で、しかも前記お椀状の凹部の底の深さが凹部の縁径より小の浅さで凹部間の縁には鋭角な凸がなく、かつ、濃度３．０〜４．０％で液温が１７〜２３℃のフッ化水素水溶液にて１５〜１７時間エッチングした時の表面と、エッチング処理しない時の表面とを触針部先端のＲが２〜１０μｍの範囲にある触針式表面粗さ測定装置を用いてＪＩＳＢ０６０１に基づき測定した時の中心線平均粗さRaの変化率が５０％以下であることを特徴とするシリカガラス治具。 （もっと読む）

【課題】
Ｎａ，Ｋ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃａ及びＭｇ等の金属不純物を容易かつ十分に除去することのできる石英ガラス治具又は該石英ガラス治具の製作工程途中の部材の洗浄方法及び該洗浄方法に好適に用いられる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】
半導体製造プロセスで使用される石英ガラス治具又は該石英ガラス治具の製作工程途中の石英ガラス部材の酸洗浄を含む洗浄方法において、該酸洗浄後に３０〜７０℃の純水中で超音波洗浄を少なくとも１回行うようにした。 （もっと読む）

半導体を製造する工程で使用するシリカガラス治具において、その表面の一部又は全部に中心線平均粗さＲａで０．１〜２０μｍの凹凸が存在し、かつ軽微な表層エッチング処理に対しても表面状態の変化が小さいことを特徴とするシリカガラス治具であって、使用時に半導体素子を汚染するパーティクルの発生がなく、しかも使用を重ねても処理条件の変動の少ない。また、本発明のシリカガラス治具は、シリカガラスの表面に物理的表層除去手段と化学的表層除去手段による処理を交互に２回以上繰り返し適用すことで容易に製造できる。
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