【課題】基板上に形成されたアモルファス膜の結晶化を、基板表面に対して垂直方向（即ち下から上方向）ではなく略平行方向（即ち横方向）に進行させる結晶化膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上にアモルファス膜１を形成し、前記アモルファス膜１にレーザ光を照射してレーザ光照射領域１ａを結晶化し、前記アモルファス膜１に熱処理を施すことにより、前記レーザ光照射領域以外のアモルファス膜１を結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のシーズヒータは熱電対が劣化した場合には、シーズヒータごと交換しなければならないという欠点があった。
【解決手段】本発明のシーズヒータは、筒状金属シースと、この金属シース内に挿入した、発熱コイルと、この発熱コイル内に挿入した金属中空管と、この中空管内に挿脱自在ならしめた温度検出手段とよりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発熱エレメントとしてカーボンナノチューブ粉末などの導電性粉末を使用していることから、自己温度制御機能（ＰＴＣ特性）をもつため、熱電対や温度制御装置が不要となり、現場での製作が簡便となる。
【解決手段】テープ状ヒータは、発熱回路を形成するように折り曲げた耐熱電気絶縁糸からなる発熱エレメント５と、発熱エレメントを挟持した２枚の耐熱電気絶縁性シート１とよりなる。製造方法は、耐熱電気絶縁性シートの一方の面の所望の場所に複数のピン２を立てる工程と、ピンに発熱エレメントを係合して耐熱電気絶縁性シートの一方の面上に発熱エレメントを所望の発熱回路を形成するように配置する工程と、耐熱電気絶縁性シートの一方の面に発熱エレメントを介して耐熱電気絶縁性シートを接着する工程と、耐熱電気絶縁性シートからピンを除去する工程とよりなる。 （もっと読む）

【課題】従来のロードロックチャンバーはゲートバルブを介して各プロセスチャンバーに接続されていたので、費用が高く、スペースも大きくなってしまうという欠点があった。
【解決手段】本発明のロードロックチャンバーは、筒状シリンダーと、上記筒状シリンダー内に軸方向に気密に移動自在に設けた、軸方向に互いに分離した一方及び他方のピストンと、上記一方及び他方のピストンをそれぞれ個別に移動せしめる移動手段と、上記筒状シリンダーの側壁に設けた、上記一方のピストンにより開閉される基板挿入口と、上記一方及び他方のピストンにより開閉される排気口と、及び上記他方のピストンにより気密に開閉される基板搬出口とよりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】重水素やリチウムのイオンを液体金属リチウム表面に投射して化学核融合をおこそうとする場合、同核融合反応の増進度が充分に大きくないため投射イオンの大部分は核融合を誘発しない。その上、液体金属リチウムを化学反応で劣化させる問題が未解決であった。これを解決し、安全な化学核融合エネルギーの発生装置を獲得する。
【解決手段】本発明リチウムクラスター化学核融合装置においては、リチウムクラスターイオンのうち特に発生効率の高いリチウムの３原子イオンＬｉ₃⁺ を液体金属リチウムから電界蒸発または磁界内のＰＩＧ型放電で発生させて加速し、液体金属リチウムに投射し、その大半に化学核融合を誘発させる。これによって、同核融合反応を妨害する化学反応を遮断する。さらに化学核融合で発生する低速中性子等の放射線をロスさせることなく、二次−、三次−核反応を誘発させるように反応容器をコンパクト化可能な形状と構造にして安全かつ安定にエネルギーが取り出せる。 （もっと読む）

【課題】従来のダクトヒータは、内部に設けた棒状ヒータの加熱効率が悪く、また、寿命が短い欠点があった。
【解決手段】本発明は、ダクト内に流体流入方向に直交する方向に延びる複数の棒状ヒータを流体流入方向に間隙を介して順次に配置してなるダクトヒータにおいて、互いに隣接する上記棒状ヒータの中間位置に対応するダクトの内壁面に半円柱状金属体を突出して設ける。 （もっと読む）

【課題】従来のシリコンテープヒーターは、細い配管への巻き付け性が悪い。細い単線を使用しているので、繰り返しの加熱によって比較的短期間で断線する恐れがあった。比較的線径の細い発熱線が使用されているため、配管全体を均一な温度に加熱することは困難であった。
【解決手段】本発明のシリコンテープヒーターは、波形に湾曲しながら一方向に延ばした２本の金属発熱体素子を互いに重ね合せて形成した金属発熱体と、この金属発熱体を覆う断面平角状のシリコン絶縁弾性体とより成り、上記各金属発熱体素子が２本以上の金属抵抗線を撚り合せ被覆用耐熱絶縁材で被覆して形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】核子あたり１０ｋｅＶ程度の原子質量単位あたり数キロ電子ボルトのエネルギーの重陽子又は陽子ビームを溶融金属リチウムの液体標的に注入する化学核融合反応では、液体中の熱力学的力によって反応レートが１０¹⁰倍以上増進するが、該液体標的中で水素化リチウムを生成する化学反応が競合して発生するため金属リチウムが劣化し核融合増進効果が減殺される。
【解決手段】本発明においては、前記競合する化学反応を排除するため、反応槽内面を金属リチウムやボロンまたはリチウムやボロンの化合物等の中性子吸収材で覆い、反応槽内の放電で生じた不活性ガスのイオン又は軽重水素との分子イオンを溶融金属リチウムを主体とする核融合物質からなる液体標的に注入し、この注入で、溶融金属リチウム又はリチウム合金等の液体標的内で原子質量単位あたり数キロ電子ボルトのエネルギーの反跳イオンを発生させ競合化学反応を誘発することなく反跳イオンと上記液体標的物質の原子との間で熱力学的力によって増進する反跳リチウム化学核融合反応を誘発させる。 （もっと読む）

【課題】原子質量単位あたり数キロ電子ボルトのエネルギーの重陽子又は陽子ビームを溶融金属リチウムの液体標的に注入する化学核融合反応では、液体中の熱力学的力によって反応レートが１０¹⁰倍以上増進するが、該液体標的中で水素化リチウムを生成する化学反応が競合して発生するため金属リチウムが劣化し核融合増進効果が減殺される。
【解決手段】競合する化学反応を排除するため、反応槽内面を金属リチウムやボロンまたはこれらの化合物等の中性子吸収材１１で覆い、反応槽内の放電で生じた不活性ガスのイオン又は軽重水素との分子イオン１０を溶融金属リチウムを主体とする核融合物質からなる液体標的４に注入し、液体標的４内で原子質量単位あたり数キロ電子ボルトのエネルギーの反跳イオンを発生させ、競合化学反応を誘発することなく反跳イオンと液体標的物質の原子との間で熱力学的力によって反跳リチウム化学核融合反応を誘発させる。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体ウエハなどの加熱処理のために、セラミックファイバヒータを用いた加熱装置を使用する場合、加熱中、断熱材のセラミックファイバからパーティクルが発生するおそれがあり、半導体ウエハに不純物が付着したり、加熱装置の清掃に手間がかかるという欠点があった。
【解決手段】 本発明のセラミックヒータはセラミックファイバ成形体と、このセラミックファイバ成形体に設けた発熱体と、上記セラミックファイバ成形体の表面に設けた耐熱ポリイミド被膜とよりなることを特徴とする。 （もっと読む）