【課題】各太陽電池セルに様々な大きさの開口を設けることにより意匠性に富んだ外観を持たせることができ、しかも、各太陽電池セルをその最大出力点付近で動作させることができる薄膜太陽電池モジュール、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透光性絶縁基板１１上に積層された光電変換層１３と裏面電極層１４とを含む発電層を分割することにより形成された複数の太陽電池セル２からなり、そのうち少なくとも１つの太陽電池セル２が前記光電変換層１３と前記裏面電極層１４を貫通する１又は複数の開口部４を有し、前記発電層の面積から前記開口部４の面積を減じた面積が全ての太陽電池セルにおいて等しいことを特徴とする薄膜太陽電池モジュール１と、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体薄膜を高速且つ安価に製造することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、成膜室３１に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室１２及び２２と、前記原料ガス生成室１２及び２２内の圧力が、5000Pa以上大気圧以下、前記成膜室３１内の圧力が500Pa以下となるように、それぞれの圧力を調整する圧力コントローラ１９、２９及び３９と、前記原料ガス生成室１２及び２２と前記成膜室３１の圧力差を維持しつつ、前記原料ガス生成室で生成された原料ガスを前記成膜室に導入するためのニードルバルブ１７及び２７と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜積層体の各層が他の層の材料で汚染されることを防ぐことができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】容量結合方式でプラズマを生成する容量結合プラズマ成膜室１１と、誘導結合方式でプラズマを生成する誘導結合プラズマ成膜室１２と、容量結合プラズマ成膜室１１と誘導結合プラズマ成膜室１２の間で基板Ｓを搬送する基板搬送手段１５２を内部に備える基板搬送室１５と、基板搬送室１５内の圧力を切り替える搬送時圧力切り替え手段（圧力調整ガス供給口１４４及び排気装置１５５）を備える。ここで、基板搬送室１５内の圧力は、容量結合プラズマ成膜室１１と基板搬送室１５の間で基板を搬出入する際には容量結合プラズマ生成時の圧力に近い値に設定し、誘導結合プラズマ成膜室１２と基板搬送室１５の間で基板を搬出入する際には誘導結合プラズマ生成時の圧力に近い値に設定する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ間での移送時に基板の取り付け／取り外しを行う必要がない薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に複数積層された薄膜を製造する装置であって、開口部を有する複数の成膜室１３１〜１３６と、前記開口部を閉鎖するように該開口部に装着可能な板状部材３３及びと該装着時に前記成膜室内に位置する該板状部材の面に前記基板を固定する基板固定機構３４とを有する基板保持機構３０Ｂと、前記複数の成膜室１３１〜１３６の前記開口部の間で前記基板保持機構３０Ｂを移動させる移動機構３０Ａと、を備える。この装置では基板を基板保持機構３０Ｂで保持したままで順次成膜室を移動させることができるため、移送時に基板の取り付け／取り外しを行う必要がない。それにより製造効率を向上させると共に装置の故障を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】不所望の不純物の混入を抑制することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜製造装置は、真空容器１１と、真空容器１１内に設けられた高周波アンテナ１３と、真空容器１１内に高周波アンテナ１３から離間して設けられた基板保持部１９と、高周波アンテナ１３の近傍に設けられたプラズマ生成ガス供給口１４と、プラズマ生成ガス供給口１４と基板Ｓの間に設けられた主原料ガス供給口１５と、プラズマ生成ガス供給口１４と基板Ｓの間であって主原料ガス供給口１５と基板Ｓの間に設けられたドーピングガス供給口１６、１７とを備える。ドーピングガス供給口１６、１７が最も基板Ｓに近い位置にあることにより、ドーピングガスがアンテナ側に逆流することを防ぐことができるため、ドーピング原子がアンテナ等に付着することを防ぐことができる。そのため、不所望のドーピング材料が不純物として薄膜に混入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】平面状被処理基体に対してプラズマ処理を行う装置であって、プラズマの利用効率及び均一性がよく、且つ生産性が高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、真空容器１１と、真空容器１１の内部空間１１１に突出するように設けられた１個又は複数個のアンテナ支持部（プラズマ生成手段支持部）１２と、アンテナ支持部１２のそれぞれに取り付けられた高周波アンテナ（プラズマ生成手段）１３と、真空容器１１内にアンテナ支持部１２を挟んで設けられた、平面状被処理基体２１を保持するための１対の基体保持部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大幅なコスト増大を招くことなく処理室間でのガス混合を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上に所定の処理を施すための複数の処理室２４０、基板Ｗを予熱するための予熱室２３０、基板Ｗを冷却するための冷却室２５０、及び前記各室間での基板Ｗの搬送を行うための共通搬送室２２０を備えた基板処理装置において、各処理室２４０はゲートバルブ２４１を介して共通搬送室２２０と連通可能に接続され、予熱室２３０及び冷却室２５０は共通搬送室２２０と常時連通した状態で接続されており、更に、冷却室２５０内へパージガスを導入するためのパージガス導入手段２５１，２８２，２８０と、冷却室２５０内に導入されたパージガスを共通搬送室２２０内を通過させた上で外部に排出する排気手段２３１，２２２，４０１とを設ける。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成によってプラズマ発生密度を均一化し、大面積に対して均一な処理を施すことのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内にカソード電極１２とアノード電極１１が平行に配置された平行平板型のプラズマ処理装置において、高周波信号を発生する信号発生器３１と、該高周波信号を入力して位相の９０°異なる２つの高周波信号を出力する位相偏移変調器３２と、位相偏移変調器３２から出力される２つの高周波信号を時間的に分離して交互に出力する高周波スイッチ３３と、該高周波スイッチ３３から出力される高周波信号を増幅する高周波アンプ３４とを備えた１台の高周波電源３０を用いて前記カソード電極１２に印加開始時の位相が９０°異なる２つの高周波を時間的に分離して交互に給電する。 （もっと読む）

【課題】省スペース化及び低コスト化を実現可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板処理室２３０，２４０，２５０と各基板処理室へ基板Ｗを搬送するための共通搬送室２２０とを有し、基板Ｗを起立姿勢で搬送しながら該基板Ｗに対して所定の処理を行う基板処理装置において、少なくとも一つの基板処理室２３０，２４０，２５０を共通搬送室２２０の上方又は下方に設け、該処理室と搬送室２２０の境界部に基板Ｗが通り抜け可能な基板通過口を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の確実な保持及び受け渡しを行うことのできる基板保持機構を提供する。
【解決手段】矩形基板Ｗを保持するための基板保持部を備えた基板保持機構であって、基板Ｗの対向する２辺に対応した基板保持部上の位置に配設され、該基板保持部に回動可能に軸支された複数の基板保持ローラ１２０と、該基板保持ローラ１２０を回転駆動するローラ駆動手段とを備え、前記基板保持ローラ１２０が、円筒部１２１とその両端面の外周の一部に設けられた保持フランジ１２３ａ，ｂとを有し、前記ローラ駆動手段によって各基板保持ローラ１２０を回動させることにより、その回動角度に応じて前記保持フランジ１２３ａ，ｂによる基板Ｗの端縁の保持及び保持解除を切り換え可能な構成とする。 （もっと読む）