【課題】安定した排気を行ない、合成炉内（インゴット合成部内）の雰囲気を安定させるができ、かつ排気管に石英ガラス粉の付着を抑制し、更には、一台の排気装置により複数の合成炉（インゴット合成部）の排気を行なうことができる合成石英ガラスの製造装置を提供する。
【解決手段】バーナ及びターゲットが配置されたインゴット合成部３と、前記インゴット合成部３の下方に設けられた、前記ガスを外部に排出する排気部５と、前記排気部５に設けられた炉内圧力と炉外圧力差を測定する差圧センサ１４と、前記排気部に形成された排気口に接続された排気管１０と、前記排気管に接続された外気導入管１１と、外気導入管の開度を制御する回動弁１２とを備え、前記差圧センサ１４の差圧が一定になるように、回動弁１２の開度を制御し、総排気量を変化させることなく、排気部５からの排気量と外気導入管１１からの外気導入量の配分を可変するように構成した。 （もっと読む）

【課題】脈理がなく、内部に欠陥がない合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラス製造装置および合成シリカガラス製造方法を提供する。
【解決手段】密閉された炉体２と、前記炉体の上部に設けられた複数の吸気口４ａと、前記炉体の下部に設けたられた排気口５ａと、前記炉体内部に回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲット６と、シリカガラス合成用のバーナー７とを備え、前記吸気口４ａは前記インゴットの溶融シリカ付着面よりも常に低い位置に設けられ、吸気口４ａから供給されるガスが前記インゴットに直接当たらないような方向かつ水平に対して下方に傾斜して設置された合成シリカガラス製造装置であって、前記吸気口４ａから供給されたガスが、インゴット形成用のターゲット６の回転方向と同方向に旋回する旋回下降流として形成される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの生産性を向上させる、ウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長装置のサセプタにウェーハをロードまたはアンロードするためのウェーハ自動移載装置であって、可動アームと、この可動アームに取り付けられるウェーハ保持ハンドと、このウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタとの相対位置をモニタする位置センサと、ウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタ間の距離を計測する距離センサを有することを特徴とするウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法。 （もっと読む）

【課題】高濃度の埋め込み不純物領域を形成した場合であっても、積層欠陥の発生抑制を可能とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０上の一部に不純物領域１８、２２を形成するステップと、シリコンウェーハ１０をＤＨＦ／ＨＮＯ_３溶液で洗浄するステップと、シリコンウェーハ１０上にシリコン層２４をエピタキシャル成長により形成するステップを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】炉内壁の全域にわたってシリカガラス粉の付着を抑制し、高品質な合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラスの製造装置及びこれを用いた合成シリカガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】炉内２に、Ｓｉ系化合物ガスとＯ₂ガスとＨ₂ガスとをバーナ４から噴出し、燃焼させ、ターゲット３となる耐熱基体上にシリカガラスを堆積させ、インゴットを形成する合成シリカガラスの製造装置１において、前記炉２上部にガスを導出するノズル５を設け、前記ノズル５からガスを導出することにより、前記炉内壁面に沿って旋廻しながら下降するガス流を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハとサセプタの座ぐりの側面との固着による不良発生を低減して、ウェーハを上面から熱の反射、下面から高周波誘導によって加熱する機構を有するエピタキシャル成長装置に用いられるサセプタおよびエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１４の上面に、内部にウェーハ１６が配置される座ぐりが形成され、前記座ぐりの側面において、配置される前記ウェーハ１６の水平中心面３０より上部に相当する部分３２を、上方に向かって広がる傾斜面とする。 （もっと読む）

【課題】ガスの排出機構を最適化することにより、エピタキシャル成長膜の均一性を向上させることを可能とするエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉１２と、この反応炉１２内で回転し、上面に複数のウェーハ１６を平面的に配置可能なディスク状のサセプタ１４と、このサセプタ１４の中心位置に突出して非回転で設けられ、原料ガスをサセプタ１４上面に沿って複数の方向に噴出するガス供給管１８と、サセプタ１４の周囲にリング状に設けられ、２より多い数のガス吸引孔２０を有し、単一のポンプ３４に接続されるガス排出管２６を具備することを特徴とするエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】サセプタの形状を改良することにより、エピタキシャル層の膜厚のウェーハ面内均一性を向上するバレル型エピタキシャル成長装置用サセプタおよびこれを備えるバレル型エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】多角錘台状のサセプタの側面に半導体ウェーハを載置し、サセプタと、このサセプタを同軸に覆う円筒状容器との間に反応ガスを導入して半導体ウェーハ上に単結晶膜を形成するバレル型エピタキシャル成長装置用サセプタであって、サセプタの側面に半導体ウェーハを載置するための複数の円形凹状の座ぐりが配列され、複数の座ぐりの配列方向側の、座ぐりの内側壁部の高さｈａ（ｍｍ）が、座ぐりの配列方向に直交する方向側の、座ぐりの内側壁部の高さｈｂ（ｍｍ）よりも低いことを特徴とするバレル型エピタキシャル成長装置用サセプタおよびこれを備えるバレル型エピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】安価で歩留よく、汚染が少ない高品質の合成シリカガラスブロックを製造できる合成シリカガラスブロックの製造装置を提供する。
【解決手段】本合成シリカガラスブロックの製造装置は、炉体内に設けられ、珪素化合物の酸化反応あるいは加水分解によりシリカを生成するバーナと、このバーナの下方に配され、シリカを堆積させる型容器と、この型容器を降下させる降下機構と、前記型容器の側壁を上方に延ばすために追加側壁部材を積層する側壁部材積み上げ機構と、炉体内の排気を行う排気手段を備える。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基材を製造できるガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ガラス基板の製造方法は、内張りに黒鉛シートを敷いた成形型の下型に、加熱された母材ガラス塊を収容し、上型により押圧してガラス基板を製造するガラス基板の製造方法において、黒鉛シートの密度は０．４〜１．２ｇ／ｃｍ^３であり、黒鉛シートは複数枚の矩形黒鉛シートを少なくとも一辺で１０ｍｍ以上辺幅の１／３以下の重ね代を設けて重ねて形成し、ガラス基板に対して、２０〜１００ｇ／ｃｍ^２の圧力をかける。 （もっと読む）