【構成】半導体シリコンウェーハの洗浄方法であって、アルカリ・過酸化水素・水より成る洗浄液に、0.１乃至１００ppm のコンプレクサン或いはそのカルボン酸基配位子を他の酸基で置換したキレート化剤を添加してシリコンウェーハの洗浄を行い、次いで１ppm 以上のフッ酸が添加された水を用いてリンスを行なうことを特徴とする。
【効果】最小でも６槽の洗浄槽乃至リンス槽を必要としたＲＣＡ処理の洗浄システムに対し、基本的に僅か２槽で全洗浄システムを構成することができ、装置価格、装置所要面積、稼働経費の点ではるかに有利となる。 （もっと読む）