説明

株式会社大和産業により出願された特許

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【課題】薄型にして透過率を向上させるとともに、製造時の歩留まりの低下を防ぐ。
【解決手段】透明ガラス基板2の一方の表面上でタッチ面用電極パターンの形成領域の外側に膜厚が1μm以下の金属系堆積膜からなる遮光膜20が形成され、その遮光膜20を被うように透明な絶縁膜22が形成されている。絶縁膜22上に第1電極パターン4、誘電体膜6及び第2電極パターン8が形成され、電極パターン8上を被うように保護膜10が形成されている。基板2の表面で、電極パターン4,8などが形成されている表面とは反対側の他方の表面がタッチ面となっている。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体層を含み、高い光電変換効率が得られる新規な光電変換素子を提供する。
【解決手段】この光電変換素子は、金属酸化物半導体層と、金属酸化物半導体層に接して積層させたバッファー層と、バッファー層に接して金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層とを少なくとも具備している。そして、光吸収層はCuとTeからなる化合物からなる。 (もっと読む)


【課題】低コストに製造することができ、かつ太陽電池特性を向上させる。
【解決手段】金属酸化物半導体層4、それに接して積層させたバッファー層5、及びバッファー層5に接して金属酸化物半導体層とは反対側に積層させた光吸収層6を備えたCIS太陽電池の光電変換素子1であり、バッファー層5が他材料を添加したIn23層からなり、空気中においてスプレー法により形成されたものである。バッファー層に添加する他材料の材質としては、例えば、チタン(Ti)、亜鉛(Zn)、スズ(Sn)、ニオブ(Nb)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)、ハフニウム(Hf)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、カルシウム(Ca)、バナジウム(V)、タングステン(W)等の金属元素よりなる群から選ばれた少なくとも1種を含む金属が好ましい。 (もっと読む)


【課題】一眼レフカメラ内で撮影レンズ系からの被写界光を受ける位置に配置され、入射した被写界光を透過光と反射光に分割するミラーにおいて、通常のガラス材質のハーフミラーに替わる光学特定の優れたペリクルミラーを提供すること。
【解決手段】ペリクルミラーをサファイア、水晶又は強化ガラスにより構成する。好ましくは、厚さが0.1mm以下の薄膜20であり、周囲が枠22に固定されており、カメラ内部において固定されて使用される。 (もっと読む)


【課題】薄型にして透過率を向上させるとともに、製造時の歩留まりの低下を防ぐ。
【解決手段】透明ガラス基板2の一方の表面上に、面内の一方向に延びる複数の透明導電膜パターンからなる第1電極パターン4が形成され、電極パターン4上を被うように基板表面上には透明な誘電体膜6が形成されている。誘電体膜6上には第1電極パターンの延びる方向とは直交する方向に延びる複数の透明導電膜パターンからなる第2電極パターン8が形成され、電極パターン8上を被うように、基板表面上には透明な絶縁膜からなる保護膜10が形成されている。電極パターン4,8などが形成されている基板表面上には、電極パターン4,8のそれぞれとつながり外部の制御回路14にリード線12により接続されるリード端子が形成されている。基板2の表面で、電極パターン4,8などが形成されている表面とは反対側の他方の表面がタッチ面となっている。 (もっと読む)


【課題】素子を急速に加熱することのできる装置を提供する。
【解決手段】内部に被加熱素子14を収容する加熱室12と、加熱室12の一部に接して設けられ加熱室12のその接している部分を一定温度に加熱する加熱部11と、被加熱素子14を保持するとともに、加熱室12が加熱部11に接して一定温度となっている加熱室12内の第1の場所と、加熱室12内で加熱部11から離れて第1の場所の温度よりも低温になっている第2の場所との間で移動可能に設置された基板ホルダー13とを備えている。 (もっと読む)


【課題】新規な印刷法により形成した光吸収CuInSe2層をもつ光電変換素子を得る。
【解決手段】透光性基板2上に透光性導電層3が形成され、透光性導電層3上に金属酸化物半導体層4が形成され、金属酸化物半導体層4上にバッファーIn23層5が形成され、バッファーIn23層5上に光吸収CuInSe2層6が形成され、光吸収CuInSe2層6上に電極7が形成されている。 (もっと読む)


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