【課題】本発明は、オニウムヒドロキシドおよび／または塩溶液からの溶解金属イオンの除去に関する。
【解決手段】本発明は、弱酸イオン交換媒体を提供すること；マグネシウムイオンを含む溶液を供給すること；イオン交換媒体とマグネシウムイオンを含む溶液とを接触させることによりマグネシウムが付加されたイオン交換媒体を形成すること；該マグネシウムが付加されたイオン交換媒体と第１の量の溶解金属イオンを含むオニウムヒドロキシドおよび／または塩溶液とを接触させること、ここで、該溶解金属イオンの少なくとも一部がオニウムヒドロキシドおよび／または塩溶液から除去される；および該接触後のオニウムヒドロキシドおよび／または塩溶液を回収すること、ここで回収された溶液は該第１の量より少ない第２の量の溶解金属イオンを含む、を含む。オニウムヒドロキシドおよび／または塩は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよび／または塩でもよく、本方法により、金属量は約１ｐｐｂにまで減少される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、過酸化水素と、水酸化有機オニウムと、酸とを含むウェットエッチング組成物に関する。
【解決手段】本発明は、シリコン、酸化シリコン、ガラス、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＢＳＧ、酸窒化シリコン、窒化シリコン及び酸炭化シリコンの１つ又は複数、それらの組み合わせ及び混合物、並びに／又はフォトレジスト材料を含む周囲構造に対して選択的に金属窒化物をウェットエッチングする方法であって、過酸化水素と、水酸化有機オニウムと、有機酸とを含むウェットエッチング組成物を準備する工程と、周囲構造に対して選択的に金属窒化物をエッチングするのに効果的な時間及び温度で、ウェットエッチング組成物にエッチングされる金属窒化物を曝露させる工程とを含む、金属窒化物をウェットエッチングする方法が提供される。 （もっと読む）

本発明は、ドキュセート、ドキュセート改変体または、他のスルホネートアニオンを含む新規イオン液体に関する。本発明のイオン液体は、例えば、複分解により簡便に作製され得る。イオン液体はしばしば、疎水性であり、多くの炭化水素組成物、ポリマー組成物、および、超臨界二酸化炭素適用において有用である。イオン液体は、炭化水素組成物における静電気の集合を回避し得、従って、引火性および／または爆発性を最小限にし得る。 （もっと読む）

【課題】多重四級アンモニウム塩(多重クワット）を含む組成物、これらの組成物を用いる方法、およびこれらの組成物を製造すること。
【解決手段】
本発明は、新たな多重四級アンモニウム塩および、下記式で表されるそれらの誘導体に関し：ここで、Ｒ_１、Ｒ’_１、Ｒ_２、Ｒ’_２、Ｒ_３、Ｒ’_３、Ｒ_４またはＲ_５は、それぞれ独立してアルキル、アリール、アラルキルおよび−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＲ_６）−ＣＨ_２Ｎ⁺Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３からなる群から選択され；１つ以上のＲ_６基はからなる群から選択され；Ａｎ⁻はアニオンである。さらに、本発明は、新たな多重四級アンモニウム塩および、下記式で表されるそれらの誘導体に関し：ここで、Ｒ_１、Ｒ’_１、Ｒ_２、Ｒ’_２、Ｒ_３またはＲ’_３基は、それぞれ独立してアルキル、アリール、アラルキルおよび−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＲ_４）−ＣＨ_２Ｎ⁺Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３からなる群から選択され；１つ以上のＲ_４基はからなる群から選択され；Ａｎ⁻はアニオンである。
【化１】


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【課題】半導体基板の洗浄またはエッチングに用いる組成物と、それを用いる方法に関する。
【解決手段】組成物は、４級アンモニウムフルオライド、４級ホスホニウムフルオライド、スルホニウムフルオライド、より一般的には−オニオムフルオライド、または１つ以上の炭素含有基によって結合した２つ以上の４級−オニオム基を含む“マルチ”４級−オニオムフルオライドの様な活性剤等のフッ素含有組成物を含み得る。組成物は、無機酸、カルボン酸、ジカルボン酸、スルホン酸、またはこれらを組み合わせたｐＨが約２〜９であるｐＨ調製剤を含み得る。組成物は無水であることができ、アルコール、アミド、エーテル、またはこれらの組み合わせをさらに含み得る。組成物は、エッチング速度、エッチングの選択性、エッチングの均一性および種々の基板上の基準を洗浄することの改善を得ることに有用である。 （もっと読む）