説明

株式会社移動体通信先端技術研究所により出願された特許

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【課題】 共振器の無負荷Qの低下を最低限に留めたままで共振周波数の調整を行う。
【解決手段】 基板1上にキャパシタ部11、12とインダクタ部13が形成されてなる共振器10において、基板1上にキャパシタ部11、12と容量結合する容量素子18、19を形成し、その面積を調整することにより共振周波数を調整する。 (もっと読む)


【課題】 外部との熱的影響の遮断を必要とする系、例えば低温状態等の所定の温度状態で特有の動作特性を示す回路装置において、回路装置から発生する熱を抑制し、短時間で所定の温度状態に達することができるとともに、所定の温度状態に冷却する冷却装置の小型化および低消費電力化を図ることができる低温電子回路部を提供することを課題とする。
【解決手段】低温電子回路部10は、超伝導フィルタ回路11と、低雑音増幅器12と、超伝導フィルタ回路11の温度を検出する温度検出回路13と、検出された超伝導フィルタ回路11の温度に基いて低雑音増幅器12に供給するバイアス電圧を制御するバイアス制御回路14とを有して構成される。 (もっと読む)


【課題】 マイクロストリップ伝送線路等の高周波伝送線路において、大型化を招くことなく臨界電流値を大きくする。
【解決手段】 誘電体基板2上に、高周波伝播方向に超伝導線路1aを形成し、この超伝導線路1aの幅方向の両側に金属線路1bを形成し、超伝導線路1aと金属線路1bによりマイクロストリップ伝送線路1を構成した。 (もっと読む)


【課題】 導体内の部分的な電界集中を緩和して当該部分の電流密度を下げることにより、例えば、導体材料に超伝導体を利用して伝送損失の大幅な低減を図る際の障害をなくす。
【解決手段】 誘電体基板と該誘電体基板の表面に設けられた導体とを有する高周波用伝送線路において、前記誘電体基板の前記導体縁部に接する部分に溝を形成する。誘電体基板と導体縁部との間に空気が介在し、この空気の誘電率が誘電体基板の誘電率よりも必ず小さいため、当該縁部の電束密度が引き下げられ、当該縁部における電流密度が小さくなり、例えば、導体材料に超伝導体を利用して伝送損失の大幅な低減を図る際の障害が解消される。 (もっと読む)


【課題】 導体内の部分的な電界集中を緩和して当該部分の電流密度を下げることにより、例えば、導体材料に超伝導体を利用して伝送損失の大幅な低減を図る際の障害をなくす。
【解決手段】 誘電体基板と該誘電体基板の表面に設けられた導体とを有する高周波用伝送線路において、前記導体の前記誘電体基板に接するエッジ部を丸くしたことを特徴とする。エッジ部の電界集中が緩和され、該エッジ部における電流密度が小さくなるから、例えば、導体材料に超伝導体を利用して伝送損失の大幅な低減を図る際の障害が解消される。 (もっと読む)


【目的】 線路幅の増大を抑えつつ、より大きな電流の輸送を可能とする。
【構成】 一定幅W1 の細線状導体膜11を、一定の隣接間隔dを保って高周波伝播方向へ平行に複数形成して、マイクロストリップ伝送線路Lを構成するストリップ導体膜1とする。前記W1 、dは1μm程度とする。 (もっと読む)


【目的】 製造の手間を要さず、コンパクトかつ低損失の高周波伝送線路を提供する。
【構成】 マイクロストリップ伝送線路を構成するストリップ導体層1を、絶縁膜11とこれを挟んで上下に位置する上側導電膜12および下側導電膜13とで構成する。下側導電膜13により、渦巻き状に成形されたスパイラルインダクタ素子14と、これの中心部に位置してインダクタ素子14の内周端141に接続された板状電極15を形成する。また、上側導電膜12により、絶縁膜11を介して板状電極15に対向しキャパシタ素子を構成する板状電極16を形成する。 (もっと読む)


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