半導体基板中の間隙の充填方法、及び蒸着速度均一度の改善方法を提供する。反応室内へ基板及び少なくとも１種の重水素化合物を含むガス混合物を供する。ガス混合物が反応し、層への蒸着及びエッチングが同時に行われて基板上へ所定材料から成る層が形成される。間隙内は所定材料層によって、間隙内の該材料が実質的に空隙のない状態となるように充填される。また、所定材料を、Ｄ_２、ＨＤ、ＤＴ、Ｔ_２及びＴＨから選択される少なくとも１種のガスの存在下で表面上へ蒸着する。蒸着処理中の正味蒸着速度は表面全体においてある程度不均一であるが、この不均一の程度は、実質的に同一な条件下においてＨ２を用いる蒸着中に生ずる不均一の程度よりも明らかに改善される。

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【課題】でこぼこ状珪素含有面の形成方法を提供する。
【解決手段】 非晶質珪素が含まれた層を第一温度に設定された反応室内へ供する。水素同位元素の少なくとも１種を反応室中へ流入させながら、温度を前記第一温度よりも少なくとも４０℃高い第二温度まで上昇させる。温度が第二温度まで達したら、前記層へ種子結晶を加える。次いで種子結晶が加えられた層をアニール処理してでこぼこ状珪素含有面を形成させる。でこぼこ状珪素含有面はコンデンサ構造体へ組み入れることができる。このようなコンデンサ構造体をＤＲＡＭセル中へ組み入れ、組み入れられたＤＲＡＭセルは電子装置に利用可能である。 （もっと読む）

半導体装置に用いる両面コンデンサの作製方法であって、該方法は、ウェハー加工間、コンデンサ底板（１１０）を支持する絶縁体構造体（８６）を形成する工程を含む。前記構造体は、底板外側を露出させて両面コンデンサを作製するため底部絶縁体層（８４）の除去中底板を支える点において特に有用である。支持構造体によって、セル誘電体層（２００）、コンデンサ上板（２０２）及び最終絶縁体（２０４）の作製中も底板が支持される。また本発明による構造体についても開示されている。

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少なくとも１種のジュウテリウム置換窒素化合物と水素同位体を含まない１または２以上の珪素含有化合物からのジュウテリウム置換窒化珪素含有材料作製方法を提供する。適するジュウテリウム置換窒素化合物として例えばＮＨ_２Ｄ、ＮＨＤ_２及びＮＤ_３を用い、適する珪素含有化合物として例えばＳｉＣｌ_４及びＳｉ_２Ｃｌ_６を用いる。本発明に従って得られるジュウテリウム置換窒化珪素含有材料は例えばトランジスタ装置中へ組み入れることができ、これにより得られたトランジスタ装置をＤＲＡＭセル中に用い、さらに得られたＤＲＡＭセルを電子システム中に用いることができる。

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